久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 內存攻擊

內存攻擊 文章 最新資訊

研究顯示 AMD 處理器也受 Rowhammer 內存攻擊影響,官方給出緩解措施

  • IT之家 3 月 27 日消息,根據瑞士蘇黎世聯邦理工學院研究人員的最新研究,AMD 的 Zen2 至 Zen4 架構處理器也會受到 Rowhammer 內存攻擊影響。AMD 官方就此給出了回應和緩解措施。IT之家注:Rowhammer 攻擊利用了現代 DRAM 內存的物理特性,通過對內存的反復讀取和寫入,改變相鄰存儲單元中的電荷狀態,實現位翻轉。攻擊者可通過誘導特定位置的位翻轉,實現對敏感數據的訪問或提升權限。Rowhammer 攻擊此前常見于英特爾 CPU 和 Arm 架構處理器上。在 AM
  • 關鍵字: AMD  Rowhammer 內存攻擊  
共1條 1/1 1

內存攻擊介紹

您好,目前還沒有人創建詞條內存攻擊!
歡迎您創建該詞條,闡述對內存攻擊的理解,并與今后在此搜索內存攻擊的朋友們分享。    創建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網安備11010802012473