- 王大波，施清清，李會超，宗? 巖 （珠海格力電器股份有限公司，廣東?珠海?519000）摘? 要：芯片失效作為困擾電子行業的難題，失效機理復雜，對于因生產現場環境造成的過電、靜電失效，環 節無法鎖定。通過對高壓電解電容帶電插裝對印制電路板上芯片損傷分析，確定主板過波峰焊時錫面連錫短路 導致高壓電解電容放電擊穿芯片的失效機理，并制定管控對策，有效降低芯片失效不良。?關鍵詞：芯片失效；高壓電解電容；擊穿；波峰焊；PCBA0? 引言?隨著電子技術的發展，小型化、集成化的芯片被應 用
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202003 芯片失效 高壓電解電容 擊穿 波峰焊 PCBA
- 在LED電源產品的設計過程中，工程師們需要處理的絕不僅僅是電路設計問題，更多的是LED電源的驅動方案選擇、LED的壽命維系以及后期的維護和檢修工作等。
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LED 電源設計 驅動 擊穿
- MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。 靜電放電形成
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MOS 擊穿
- 用萬用表判斷電容器質量視電解電容器容量大小，通常選用萬用表的R×10、R×100、R×1K擋進行測試判斷。...
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電容 擊穿 漏電 失去容量
- LED內部的PN結在應用到電子產品的制造、組裝篩選、測試、包裝、儲運及安裝使用等環節，難免不受靜電感應影響而產生感應電荷。若電荷得不到及時釋放，將在兩個電極上形成的較高電位差，當電荷能量達到LED的承受極限值
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LED 分析 靜電 擊穿
- MOS管被擊穿的原因及解決方案如下：第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外...
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MOS管 擊穿 解決方案
- 中心議題： 功率晶體管二次擊穿的原因 避免功率晶體管二次擊穿的措施 開關電源中可選用的緩沖電路解決方案： 耗能式關斷緩沖電路 耗能式開通緩沖電路 無源回饋關斷緩沖電路 無源回饋開通緩沖電
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防護 擊穿 晶體管 功率 開關電源
- 摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關系。和傳統的雙極性晶體管相比，反向偏置時MOSFET雪崩擊穿過程不存在“熱點”的作用，而電氣量變化卻十分復雜。寄生器件在
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問題 分析 擊穿 雪崩 MOSFET 功率
擊穿介紹
擊穿---絕緣物質在電場的作用下發生劇烈放電或導電的現象叫擊穿。 例如，平常我們使用的驗電筆中的氖管發光，就是氖管兩端的電壓超過70V而被擊穿。 電容器的結構特性與作用
1．電容器的結構特性 電容器是由兩個相互靠近的金屬電極板，中間夾一層絕緣介質構成的。在電容器的兩個電極加上電壓時，電容器就能儲存電能。
1．電容器
(1)電容器：兩塊相互靠近又彼此絕緣的導體組成電容器．電容 [
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