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制造工藝 文章 最新資訊

半導體集成電路的發(fā)展及封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)

  • 　　半導體芯片結構尺寸的縮小使得RC延遲成為制約集成電路性能進一步提高的關鍵性因素。轉向低k銅工藝技術是業(yè)界給出的解決方案。雙大馬士革工藝取代了傳統(tǒng)的鋁“減”工藝，成為低k銅互連材料的標準制造工藝。 　　為了能與芯片制造工藝完美結合，不產生可靠性問題，低k絕緣材料必須具備一系列期望的材料特性，對低k材料研發(fā)本身的挑戰(zhàn)在于：在獲得所需要的低介電常數(shù)的同時，低k材料還必須滿足良好的熱和機械特性。但目前并沒有完全符合這些期望特性的低k材料被制造出來，因而給半導體制造工藝帶來了挑戰(zhàn)。
  • 關鍵字： 半導體  集成電路  低k銅  制造工藝  

便攜式產品的單芯化成為趨勢

  • 　　市場需求和技術支撐組成了便攜式產品走向全面單芯化的雙重推動力。用于便攜式產品的SoC正在大規(guī)模地包容包括ADC和PLL在內的模擬電路，單芯化設計有助于減少元件數(shù)量、芯片占板面積、BOM以及芯片功耗等。 　　集眾多數(shù)字和模擬技術與一身的手機芯片是單芯化設計趨勢的一個縮影。一個集成了基帶、RF收發(fā)器、SRAM和PMU的SoC就幾乎組成一個完整的手機芯片方案。TI、英飛凌、NXP和高通已經陸續(xù)推出了多個面向2G、2.5G和3G的單芯片方案。 　　即便是作為手機附屬功能，Wi-Fi和AM/FM接收器的
  • 關鍵字： 消費電子  單芯片  制造工藝  便攜式  消費電子  

RF功率MOSFET產品及其工藝開發(fā)

  • 摘    要：本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎的RF 功率 MOSFET的功能特性、產品結構和制造工藝特點。文中結合6寸芯片生產線，設計了產品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點，并提出了解決方案。關鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結構；制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
  • 關鍵字： LDMOSFET  MOSFET  RF  RF專題  電源技術  功率  模擬技術  器件結構  制造工藝  

淺論臺灣放寬半導體投資限制

  •      提起半導體制造，臺灣是全球工藝的領先者，而半導體制程則是臺灣少數(shù)幾個沒有對大陸開放投資的項目。這一次，臺灣經濟主管機構召開“大陸投資政策審查會議”，會后宣布，茂德、力晶8英寸半導體廠項目(0.25)通過了政策審查，后續(xù)的0.18其實也已經通過了審查，這對整個半導體產業(yè)不得不說是個震撼。     初看起來，0.18都已經接近淘汰，0.25更是該走進歷史的垃圾堆，但仔細研究卻并非這么簡單。  &
  • 關鍵字： 半導體  制造工藝  

ST的TCG 1.2可信平臺模塊進軍0.15微米制造工藝

  •  極具成本效益的TPM解決方案，專門為PC制造商和OEM廠商設計， 達到可信計算組最新標準 全球第一個推出完全符合TCG(可信計算組)TPM1.2規(guī)范的可信平臺模塊(TPM)的芯片制造商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM)，又推出了一個采用該公司先進的0.15微米CMOS EEPROM制造工藝的新模塊。新產品ST19NP18是在取得巨大成功的上一代ST19WP18 TPM的基礎上改進而成的，制造技術采用了能夠給PC制造商帶來更多成本效益的0.15微米制造工藝。 安全芯片T
  • 關鍵字： 0.15微米  1.2可信平臺模塊  ST  TCG  單片機  嵌入式系統(tǒng)  意法半導體  制造工藝  模塊  
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制造工藝介紹

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