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- 本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過浪涌電流、應對不斷攀升的電力需求、為什么要使用固態斷路器。本文為系列教程的第二部分，將介紹SSCB 采用 SiC JFET 的四個理由。斷路器制造商首要關注的是發熱問題。 所有半導體在電流流過其中時都會產生熱量。 這種熱量可以用導通電阻來衡量， 其表示符號為 RDS(on) 。當然，
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- 本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。作為系列教程的第一部分，本文將介紹浪涌電流、應對不斷攀升的電力需求、為什么要使用固態斷路器。引言斷路器的第二大關鍵作用 ， 可能是在每次電路通電的瞬間 ， 抑制電流浪涌， 從而有效保護電子器件免受沖擊。浪涌電流是所有電源在接通時都會產生的現象 ， 主要由以下幾個因素共同作用造成：輸入電路和線路濾波器中的電容
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- 目前隨著科學技術和制造工藝的不斷發展進步，半導體技術的發展日新月異。對于功率半導體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導體器件不僅是單一的開關型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅動器和控制電路IC，這樣的功率半導體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導體器件其封裝結構和傳統的單一功率半導體器件有一定的區別，因此其散熱設計和熱傳播方式也有別于傳統的功率半導體器
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- 在這篇文章里，imec氮化鎵電力電子研究計劃主持人Stefann Decoutere探討在200V GaN-on-SOI智能功率芯片（IC）平臺上，整合高性能蕭基二極管與空乏型高電子遷移率晶體管（HEMT）的成功案例。該平臺以p型氮化鎵（GaN）HEMT制成，并成功整合多個GaN組件，將能協助新一代芯片擴充功能與升級性能，推進GaN功率IC的全新發展。同時提供DC/DC轉換器與負載點（POL）轉換器所需的開發動能，進一步縮小組件尺寸與提高運作效率。電力電子半導體的最佳解答：氮化鎵（GaN）過去
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