- 常用功率器件MOSFET基礎介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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功率MOSFET 二極管
- 1引言隨著電力電子技術的發展，各種新型的驅動芯片層出不窮，為驅動電路的設計提供了更多的選擇和設計思...
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功率MOSFET 柵極驅動 解耦
- 在汽車電子的驅動負載的各種應用中,最常見的半導體元件就是功率MOSFET了。本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFE...
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功率MOSFET
- 本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知...
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功率MOSFET 開關損耗
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用0.6mm超低外形的熱增強Thin PowerPAK? SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444DJT和20V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面積內，新的SiA444DJT實現了N溝道MOSFET當中業內最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導通電阻?！?/li>
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Vishay 功率MOSFET
- 據iSuppli公司，由于2010年銷售增長50%以上，而且產量有限，英飛凌、意法半導體和飛兆半導體等主要供應商的某些功率MOSFET對中國市場實行配給，而且交貨期拉長。
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英飛凌 功率MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關，以及直流應用的系統/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉換或充電泵電路，使其成為系統/負載開關應用非常理想的解決方案。
IR 亞太區銷售副總裁潘
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IR 功率MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關，以及直流應用的系統/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉換或充電泵電路，使其成為系統/負載開關應用非常理想的解決方案。
IR 亞太區銷售副總裁潘
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IR 功率MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布針對開關應用，推出兩款具有低柵級電荷的車用 DirectFET?2 功率 MOSFET ，這些開關應用包括開關電源 (SMPS) 、D 類音頻系統、高強度氣體放電燈 (HID) 照明，以及其它汽車電源轉換應用。
AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2 是 IR為 DC-DC 應用量身定制的首款汽車級 DirectFET? 器件，提供低
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IR 功率MOSFET AUIRF7648M2
- 瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）近日宣布，推出適用于筆記本電腦及通信設備等產品的存儲器或ASIC同步整流DC/DC轉換器的RJK0383DPA。該器件集成雙類型功率MOSFET，可以實現更高的電源效率。據悉，此器件樣品將于在2008年10月在日本開始供應。
RJK0383DPA集成了兩種不同類型的雙功率MOSFET，構成了一個采用WPAK『注1』（瑞薩封裝代碼）高熱輻射封裝的同步整流DC/DC轉換器，其面積為5.1×6.1 mm，厚度為0.8 mm（最大）
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瑞薩 轉換器 功率MOSFET DC/DC
功率mosfet介紹
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫，意即“金屬氧化物半導體場效應晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場的效應來控制半導體S的場效應晶體管。除少數應用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數用作開關和驅動器，工作于開關狀態，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達幾安培到幾十安培。 [
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