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半大馬士革 文章 最新資訊

半大馬士革集成中引入空氣間隙結構面臨的挑戰

  • l  隨著芯片制造商向3nm及以下節點邁進，后段模塊處理迎來挑戰l  半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結構可能有助于縮短電阻電容的延遲時間 隨著器件微縮至3nm及以下節點，后段模塊處理迎來許多新的挑戰，這使芯片制造商開始考慮新的后段集成方案。 在3nm節點，最先進的銅金屬化將被低電阻、無需阻擋層的釕基后段金屬化所取代。這種向釕金屬化的轉變帶來減成圖形化這一新的選擇。這個方法也被稱為“半大馬士革集成”，結合了最小間距互連的減成圖形化與通孔結構的傳統大馬士革。 
  • 關鍵字： 半大馬士革  空氣間隙結構  泛林  imec  

使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝

  • ●? ?介紹隨著技術推進到1.5nm及更先進節點，后段器件集成將會遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實現具有挑戰性的制造工藝，需要進行工藝調整。為應對這些挑戰，我們嘗試在1.5nm節點后段自對準圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產了一組新的后段器件集成掩膜版，以對單大馬士革和雙大馬士革進行電性評估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前兩類是1.5nm節點后段的最小目標金屬間距
  • 關鍵字： 半大馬士革  后段器件集成  1.5nm  SEMulator3D  
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半大馬士革介紹

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