- 目前使用的大部分燈具是白熾鎢絲燈或者采取氣體放電，而半導體發光二極管（LED）的發光原理則與大部分燈迥然不同。發光二極管自發性（Spontaneous）的發光是由于電子與空穴的復合而產生的。一般的半導體發光二極管，多以Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體為材料。圖1示出的是Ⅲ- Ⅴ及Ⅱ-Ⅵ族元素的帶隙（Bandgap）與晶格常數（Lattice Constant）的關系。由圖可知，這些材料的發光范圍由紅光到紫外線，目前紅光的材料主要有AlGaInP，而藍綠光及紫外線的主要材料
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半導體發光二極管 發光二極管 LED
- 發光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等 半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特性。在正向電壓下，電子由N區注入P區，空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子（少子）一部分與多數載流子（多子）復合而發光，如圖1所示
假設發光是在P區中發生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發光，或者先被發光中心捕獲后，再與空穴復合發光。除了這種發
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半導體發光二極管介紹
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