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LG電子將通過混合鍵合進入半導體設備市場
- LG 電子已悄然啟動成為半導體設備制造商的計劃。其生產(chǎn)技術研究所已開始開發(fā)為下一代高帶寬存儲器 （HBM） 量身定制的混合鍵合機，其內(nèi)部目標是到 2028 年出貨生產(chǎn)單元。混合鍵合是一種晶圓級連接技術，無需焊料凸塊。相反，每個芯片上的銅焊盤被平坦化到納米級的光滑度，并在室溫下壓合在一起，形成永久的直接電接觸。這種方法可產(chǎn)生更薄的內(nèi)存堆棧，在更低的溫度下運行，并且比使用傳統(tǒng)熱壓縮鍵合組裝的方法提供更快的電氣性能。HBM 由緊密堆疊的 DRAM 層組成，目前的封裝支持多達 8 層的熱壓鍵合。堆疊超過 12 層
- 關鍵字： LG電子 混合鍵合 半導體設備市場
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