- 近日，江北新區舉行“芯片之城”地標產業簽約儀式。超芯星半導體項目和中安半導體項目與新區簽約，未來都將落戶新區研創園。據了解，江蘇超芯星半導體有限公司主要從事6-8英寸SiC碳化硅芯片襯底研發及產業化，是國內領先的碳化硅材料供應商，碳化硅作為三代半導體材料，將在軌道交通、5G、新能源汽車等領域有廣泛的應用前景。目前公司已推出大尺寸碳化硅擴徑晶體，實現厚度突破，屬于技術領先的三代半產品。總部遷入研創園后將推動上市計劃，項目規劃三年實現6英寸碳化硅襯底年產3萬片，未來還將在SiC襯底產品的基礎上，將進一步研發S
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南京江北 項目 半導體
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