場效應晶體管 文章 最新資訊
東芝發布最高Ku波段輸出功率的氮化鎵功率場效應晶體管
- 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布其已開發了用于Ku波段(12GHz到18GHz)頻率范圍的氮化鎵(GaN)功率場效應晶體管(FET)，使該頻率范圍在14.5GHz上實現了65.4瓦的輸出功率，這也是迄今為止該頻率范圍所能支持的最高性能水平。該新型晶體管主要應用于衛星微波通信基站，用以傳輸包括高清晰廣播在內的大容量信號。東芝公司計劃于2007年底供應該新型功率場效應晶體管的樣品，并于2008年3月底進行大規模生產。 Ku波
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場效應晶體管介紹
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場效應管-基本特點
方型場效應管
場效應管屬于電壓控制元 [ 查看詳細 ]
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