檢測硅通孔與堆疊芯片中的關鍵缺陷

• 核心要點采用硅通孔（TSV）和混合鍵合技術的多芯片集成封裝中，工藝偏差正成為愈發嚴峻的問題。此類器件的檢測需要多模態檢測方法相結合。人工智能在提升缺陷捕獲率、區分致命缺陷與假陽性缺陷方面發揮著重要作用。堆疊芯片中采用硅通孔和混合鍵合的新型器件互連方式，呈現出高度的工藝偏差特性，這讓傳統的缺陷檢測流程變得復雜。由于這些先進封裝架構尚未成熟，相比以往，確定最優的檢測方法也更具挑戰性。封裝技術的多元化發展，使得需要表征的缺陷數量和類型不斷增加，包括空洞、殘留物、薄膜不連續以及圖形對準偏差等，而這些缺陷又會進一步
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