- 如同摩爾定律所述，數十年來，芯片的密度和速度正呈指數級成長。眾所周知，這種高速成長的趨勢總有一天會結束，只是不知道當這一刻來臨時，芯片的密度和性能到底能達到何種程度。隨著技術的發展，芯片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規模集成電路(VLSI)中常見的多種效應變得原來越重要且難以控制，天線效應便是其中之一。
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IC設計 天線 天線效應 充電損害 MOS
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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集成電路 天線效應 等離子 充電損傷 跳線法
天線效應介紹
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