嵌入式控制應用的快速增長，對當今的微控制器提出了極為苛刻的要求。由于大量的數字/模擬輸入信號的復雜控制算法都必須在一個界定的較短響應時間內進行處理，而且生成適當的輸出信號。嵌入式控制應用對于電路板空間、功耗和整體系統成本往往也提出了苛刻的要求。因此，微控制器除需要提供足夠的CPU和DSP性能外，還要求高度系統集成，從而避免擴展額外的外設。此外，它還能提供系統安全機制和降低器件功耗的特性。
支持電機控制設計的捕獲/比較單元
CCU6是一個高分辨率的16位捕獲/比較單元，采用特定應用模式，
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全球領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出全新F-RAM系列產品中的第二款串行器件FM25V05，提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行外設接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8腳SOIC封裝，特點包括快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、1E14讀/寫次數和低功耗。FM25V05是工業控制、儀表、醫
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據Digitimes網站報道，終端需求持續疲弱，11月上旬DRAM合約價再跌10%，DRAM市場沒有任何止跌跡象，而現貨價跌勢亦讓合約價無法止跌回穩，不少DRAM大廠為消化庫存，不斷以低價方式銷售DRAM模塊，讓市場價格陷入凍結，即使多家DRAM廠宣布要減產救市，但目前對于DRAM價格仍沒有太大激勵性。
受全球金融海嘯沖擊，2008年下半電子產業傳統旺季失靈，DRAM價格也在旺季中出現重挫，不僅最新出爐的11月上旬DRAM合約價再跌10%之多，1Gb容量DDR2價格僅剩下1.19美元，下半
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來工業界的領袖們幾乎一致的采用“困難”、“不可預測”、“差”或者“有限的可見度”來描繪目前工業的現狀、前景的不確定性以及未來可能面臨嚴峻的挑戰。
此次金融風暴危害有多深？
由美國次貸危機引發的金融風暴，已經從美國蔓延至全球。從9月15日美國雷曼銀行倒閉到如今的1個半月中，全球股市總計蒸發了10萬億美元。不少國家出現財政危機，如冰島政府向IMF求20億美元的緊急貸款。預計未來匈牙利、羅
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臺灣地區取得全球晶圓代工第一、封裝第一及IC設計第二（僅次于美國）如此驕人的成績，并沒有 沾沾自喜，相反總是在努力尋找差距，并確立追趕目標，這一點非常難能可貴。例如在臺灣島內自2004年開始，就半導體及平板顯示業展開大討論，以南韓為目標尋找差距。口號是“為什么韓國能，臺灣不能？”
通過分析與比較，臺灣在半導體產業中的目標是：1) 總產值要超過韓國，成為繼美國，日本之后的全球第三位；2) 在未來三至五年中，存儲器業要超過韓國，成為全球第一。
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受美國金融危機的影響，市場調研機構紛紛調整對半導體產業前景的預期。
半導體設備市場正在發生變化，8月SEMI發布樂觀的2009年資本支出預測后，日前調降了市場預期，并稱諸多芯片制造商處于突然其來的“恐慌狀態”。8月的報告中，SEMI預測2008年晶圓廠設備支出減少20％，而2009年將反彈20％。對于2008年的預測沒有變化。但對于2009年，SEMI分析師ChristianGregorDieseldorff表示，預計半導體資本支出增幅在-10％至5％之間。許多芯片制
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引言
DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JED-EC開發的新生代內存技術標準,與上一代DDR內存技術標準相比，雖然采用時鐘的上升／下降沿同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有2倍于上一代DDR內存預讀取能力(即：4 bit數據讀預取)。即就是，DDR2內存每時鐘能以4倍的外部總線速度讀／寫數據,并且能以內部控制總線4倍的速度運行。
此外，由于DDR2標準規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝,而不是目前DDR廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝,FB
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提到“華爾街”，這個詞現在所包含的意義其實已經遠遠超過了紐約市內那條短短的WALL Street，因為對于世界經濟來說，華爾街儼然世界經濟的心臟，華爾街模式的存在成為保持經濟活力的源泉。其實，華爾街模式并不神秘，說得簡單點，所謂“華爾街”模式不過是金融運作的高級手段，之所以充滿活力是因為其本身幾乎就是空手套白狼。然而，空手不是永遠安全，總有被狼咬上一口的時候，隨著最近次貸危機中眾多獨立投行的危機，華爾街特有的商業投資模式正式被美國財政部叫停。
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Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款產品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外設接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8腳SOIC封裝，其特點是快速訪問、無延遲(NoDelay?) 寫入、1E14讀/寫次數和低功耗。FM25V10是工業控制、計量、醫療、汽車、軍事、游戲及計算機等應用領域1Mb串行閃存和串行EEPRO
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近期黑心NAND閃存大量流竄到市面上，多數仿造三星產品，三星電子成最大受害者。
網易科技訊 9月16日消息，全球存儲器市場不景氣，而偽劣商品卻大行其道，過去市面上曾出現黑心記憶卡，但近期在市場卻首次出現黑心NAND Flash，大批已封裝晶圓顆粒經拆封后，竟發現里面連芯片都沒有，且已整批流竄到市面上，其中，以三星電子(Samsung Electronics)品牌NAND Flash為被仿冒大宗，算是最大受害者。業內人士表示，假的NAND Flash產品都是整批以低價交易，嚴重破壞NAND
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據道瓊斯通訊社報道，南通富士通微電子股份有限公司（Nantong Fujitsu Microelectronics Co.， 簡稱：富通微電）和南亞科技（Nanya Technology Corp.， ）周二表示，雙方簽署了一份專利許可協議，以解決雙方圍繞動態隨機存儲器（Dynamic Random Access Memory， DRAM芯片）的專利糾紛。
兩公司發表聯合公告表示，根據協議，南通富士通微電子股份有限公司母公司富士通（Fujitsu Ltd.， ）將撤回要求法院禁止南亞科技DRAM
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根據SEMI近期發布的World Fab Forecast報告，報告顯示2008年半導體設備支出將減少20％，而2009年將獲得超過20％的反彈，主要受全球70多個晶圓廠項目的帶動。該報告的2008年8月版列出了53個晶圓廠組建項目，2009年還有21個晶圓廠建設項目。
2008年，300mm晶圓廠項目占了晶圓廠設備支出的90％，約69％的支出用于65nm及以下節點技術。2008年全年晶圓廠總產能預計相當于1600萬片200mm晶圓，年增長率僅9％，2007年增長率達16％。2009年，總產能預
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CC2511x（CC2510x 產品系列的姐妹產品）具有全速 USB 控制器。CC2511x 器件分為 3 個版本（8/16/32kB 快閃存儲器和1/2/4kB RAM 存儲器），除了支持強制端點 0 外，其還可支持 5 個 USB 端點。DMA 控制器可用于在主存儲器和沒有 MCU 干擾的 USB 控制器之間進行數據傳輸。由于 2.4-GHz 收發器可支持高達 500kSPS 的數據速率，因此，對于USB 適配器（無線耳機、鍵盤、鼠標、Presenter）以及需要與 USB 連接以進行固件升級的其
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1、引言
阿爾法磁譜儀(Alpha Magnetic Spectrometer，AMS)實驗室是丁肇中博士領導的由美、俄、德、法、中等16個國家和地區共300多名科學家參加的大型國際合作項目。它是國際空間站上唯一大型物理實驗，是人類第一次在太空中精密地測量高能量帶電原子核粒子的實驗。其目的是為尋找反物質所組成的宇宙和暗物質的來源以及測量宇宙線的來源。
但是對于AMS實驗的空間電子系統，同樣會受到高能粒子的襲擊，導致存儲器的內容發生變化，改寫半導體存儲器件的邏輯狀態，導致存儲單元在邏輯&ls
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FPGA 存儲器 AMS 編碼 譯碼
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲器終端電源管理要求的汲極／源極雙數據速率 (DDR) 終端穩壓器 TPS51200。該簡便易用的新型穩壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 μF，比同類競爭解決方案的電容降低了近 80%。這樣，設計人員可利用該器件實現更低成本、更小型化的 DDR 存儲器終端解決方案，以滿足數字電視、機頂盒、VGA 卡、電信、數據通信、筆記本以及臺式機電腦等現代大容量存儲器電子產品以及日益豐富的消費類電子產品的需求。
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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