- 應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出新的線性穩流及控制器NCV7680。這器件包含8個線性可編程恒流源，其設計用于汽車固態組合尾燈(RCL)的穩流和控制，能支持高達每通道75 mA的發光二極管(LED)驅動電流。
NCV7680功能高度集成，支持兩個亮度等級，一個用于停車，另一個用于尾部照明。如有需要，也可應用可選的脈寬調制(PWM)控制。系統設計人員只須使用一個外部電阻來設定輸出電流(整體設定點)。另外可選的外部鎮流器場效應
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安森美半導體 控制器 NCV7680
- 應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出新的集成無源元件(IPD)工藝技術——IPD2。這新工藝是公司增強既有的HighQ™硅銅(copper on silicon) IPD技術，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強了電感性能，提高了靈活性，配合設計高精度、高性價比的集成無源元件，用于便攜電子設備中的射頻(RF)系統級封裝應用。
HighQ™ IPD2工藝是安森美半導體定制代工
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安森美半導體 IPD HighQ
- 安森美半導體(ON Semiconductor)推出最新的ATX電源公開參考設計。這款255瓦(W)參考設計超越美國80 PLUS銀級、“能源之星”(ENERGY STAR ®) 5.0版及計算產業拯救氣候行動計劃(CSCI)第三階段臺式個人電腦(PC)電源能效標準。這新的參考設計在真實世界工作條件下提供更高的能效，并且它的配置可立即被投入生產。這設計為電源制造商提供一個藍圖，使他們能以現有高性價比的技術把高能效電源上市。
安森美半導體的參考設計在50%負載、23
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安森美半導體 ATX
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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安森美半導體 解決方案 電源規范
- 2008年11月13日 – 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出8款新的MOSFET器件，專門為中等電壓開關應用而設計。這些MOSFET非常適用于直流馬達驅動、LED驅動器、電源、轉換器、脈寬調制(PWM)控制和橋電路中，這些應用講究二極管速度和換向安全工作區域(SOA)，安森美半導體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量，免應用受未預料的電壓瞬態影響。
這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOS
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安森美半導體 MOSFET
- 2008年11月11日 - 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新一代的AB類音頻放大器NCP2991，專為便攜和無線應用提供優異的音頻性能而不會犧牲能效。
安森美半導體數字及消費產品部副總裁兼總經理Manor Narayanan說：“手機或便攜媒體設備具備清晰、無噪聲的音頻輸出，對于用戶滿意度至關重要。然而，硬件設計人員通常會遇到意料之外的源自音頻系統的噪聲問題。安森美半導體新的AB類放大器
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安森美半導體 便攜媒體 NCP2991
- 2008年11月4日 – 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)今日在臺北舉行的第七屆靜電放電保護技術研討會上，針對如何防止靜電放電(ESD) 所帶來的損失，從元件、制造和系統三個層級的技術面加以探討，為業界提供實質建議。要有效降低ESD所帶來的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可以在電子元件中加強抵抗ESD的裝置。安森美半導體長期投入于研發ESD保護技術，通過先進的ESD保護技術和完整的產品系列
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安森美半導體 ESD 電子
- 2008年10月17日 – 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出業界首批六相脈寬調制(PWM)控制器——ADP4000和ADP4100，符合英特爾VR11.1規范的苛刻性能要求，為服務器和高端臺式計算機提供高能效的主板和顯卡設計。
ADP4000和ADP4100 利用英特爾2008臺式機和服務器平臺的最新臺式機/服務器規范VR11.1的特性，節省輕載期間的電能消耗，
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安森美半導體 英特爾 監控 控制性能
- 2008年10月10日 – 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新的低電容晶閘管浪涌保護器件(TSPD)系列，專為保護下一代高速電信設備而設計。新器件杰出地平衡小尺寸和高浪涌能力，同時維持低電容和低泄漏，是先進電信產品的極佳組合。
NP0080、NP0120和NP0160低電容、低泄漏TSPD器件采用節省空間的TSOP-5封裝，保護數字用戶線路(DSL)芯片組和線路驅動器。雖然在正常電路工
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電信設備 安森美半導體 電容
- 2008年10月8日 - 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出以太網供電(PoE)產品系列的兩款新品——NCP1080和NCP1081。NCP1081是業界最高功率集成以太網供電用電設備(PoE-PD)，功率范圍廣，以2對配置為應用負載提供達40瓦(W)穩壓功率。兩款器件都完全支持IEEE 802.3af標準。NCP1081更支持包含兩個事件物理層分類，最新批準的IEEE 802.3at草案
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安森美半導體 WiMax RFID 電源設備 DC-DC轉換器
- 2008年10月9日 – 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出AMIS-49200介質連接器(MAU)的一款新派生產品——AMIS-49250。與AMIS-49200相比，AMIS-49250節省達66%的額外電路板空間。這器件是安森美半導體處理自動化收發器產品線的一環，用于石油精煉、化學處理和水處理廠等極講究安全的應用。
安森美半導體擁有寬廣的收發器產品線，并在為
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安森美半導體 AMIS-49200 自動化
- 2008年7月15日 – 愛爾蘭副總理兼企業貿易與職業部部長Mary Coughlan TD和總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯的高性能高能效硅解決方案領先供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣布，在愛爾蘭工業發展局(IDA Ireland)的支持下，安森美半導體于愛爾蘭Limerick的Raheen Business Park設立新的研發中心。這研發中心將為半導體設計師和工程師創造49個職位。
安森美半導體在全球設計、制造和營銷電源和數
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- 愛爾蘭副總理兼企業貿易與職業部部長Mary Coughlan TD和總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯的高性能高能效硅解決方案領先供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣布，在愛爾蘭工業發展局(IDA Ireland)的支持下，安森美半導體于愛爾蘭Limerick的Raheen Business Park設立新的研發中心。這研發中心將為半導體設計師和工程師創造49個職位。
安森美半導體在全球設計、制造和營銷電源和數據管理半導體及標準半導體元器件。位于L
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