寄生電容文章最新資訊

一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)

分析影響VDMOS開關(guān)特性的各部分電容結(jié)構(gòu)及參數(shù)，為了減少寄生電容，提高開關(guān)速度，在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結(jié)構(gòu)。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條，并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū)，改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀，減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬，結(jié)果表明：這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)VDMOS相比，能有效減小器件的寄生電容，減少柵電荷量，提高開關(guān)時(shí)間，提高器件的動(dòng)態(tài)性能。
關(guān)鍵字： VDMOS 寄生電容

電容觸摸傳感的理論框架

電容觸摸傳感技術(shù)要求對(duì)電容或容值的變化進(jìn)行測(cè)量。完成測(cè)量有多種方法，但每當(dāng)模擬硬件采集到數(shù)據(jù)后，就必須將數(shù)據(jù)輸入給單片機(jī)處理。必須對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行后處理，比如以數(shù)字的形式來(lái)表示數(shù)據(jù)才能使讀數(shù)具有實(shí)際意義。
關(guān)鍵字：微芯傳感器電容觸摸傳感電容容性耦合充電周期充電速率寄生電容頻率偏移 200908

電容觸摸傳感的理論框架

電容觸摸傳感技術(shù)要求對(duì)電容或容值的變化進(jìn)行測(cè)量。完成測(cè)量有多種方法，但每當(dāng)模擬硬件采集到數(shù)據(jù)后，就必須將數(shù)據(jù)輸入給單片機(jī)處理。必須對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行后處理，比如以數(shù)字的形式來(lái)表示數(shù)據(jù)才能使讀數(shù)具有實(shí)際意義。可根據(jù)不同的應(yīng)用來(lái)調(diào)整后處理方式，可能看起來(lái)非常簡(jiǎn)單，也可能極其復(fù)雜。相同的概念也可能適用于其他硬件和后處理需求。
關(guān)鍵字：微芯傳感器電容觸摸傳感容性耦合充電周期充電速率寄生電容頻率偏移

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寄生電容介紹

寄生的含義就是本來(lái)沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線構(gòu)之間總是有互容，互感就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串連，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì)增大，不能忽略。在計(jì)算中我們要考慮進(jìn)去。ESL就是等效電感，ESR就是等效電阻。不管是電阻， [ 查看詳細(xì) ]