- 繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發新世代內存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術和材料，爾必達(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發ReRAM，讓次世代內存技術研發掀起跨領域結盟熱潮，內存業者預期，未來ReRAM、3D NAND Flash、相變化內存(Phase Change RAM;PRAM)和磁性隨機存取內存(Magnetic RAM;MRAM)等次世代內存，將會有一番激烈競爭。
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爾必達 ReRAM 次世代內存
- 個人計算機(PC)需求不振連累DRAM價格重挫，爾必達(Elpida)社長坂本幸雄坦承將下修公司獲利目標，同時在臺灣轉投資瑞晶R2廠的擴產計劃也將踩剎車。2010年在3、4月DRAM大缺貨之際，爾必達內部規劃廣邀PC客戶入股來協助瑞晶擴產，屆時將依照投資比重來分配DRAM貨源，但傳出DRAM價格崩盤后，PC客戶早已溜之大吉，瑞晶的擴產計劃只好喊卡，然爾必達廣島廠的擴產進度仍將如期進行。
坂本幸雄表示，PC市場在傳統旺季的需求未如預期，將連累爾必達的財報獲利受到影響，但DRAM價格其實下修幅度已大
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爾必達 DRAM
- 據國外媒體報道，爾必達計劃面向本地的私人投資者發行6000億日元(約合7.28億美元)可轉債。
根據爾必達周五發布的公告，這一可轉債為5年期，利率0.5%。籌集的資金將用于償還債務，以及升級半導體制造設備。爾必達是全球第三大計算機存儲芯片廠商，該公司在追趕業界領頭羊三星電子的過程中正面臨壓力。后者目前每年支出100億美元來提升芯片產能。
周五，爾必達在東京股票交易所的股價上漲5.2%。不過在當天早盤的交易中，爾必達股價曾一度大跌5.6%。東京新生證券高級分析師松元泰裕指出，這一股價反轉是由
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爾必達 存儲芯片
- 最近，內存顆粒的工藝進步速度非常快，最先進的30nm工藝甚至已經超過了處理器。在功耗與散熱方面也有了長足的進步。
今天我們得到最新消息，繼三星之后，爾必達也成功開發出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內存顆粒，并且核心面積和功耗都創下業界新紀錄。
據了解，爾必達這種顆粒最高支持DDR3-1866頻率，可以在1.35V低電壓下實現1600MHz頻率。同時，其工作電流相比同廠40nm產品工作電流降低15%，待機電流下降10%。
爾必達聲稱該內存顆粒是目前世界上體積最小的產品
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爾必達 DDR3 30nm
- 爾必達正在考慮收購力晶(Powerchip)和茂德(ProMOS)股份，以抵御三星的競爭，并有望引發全球半導體行業近十多年來最大規模的重組。
行業整合
爾必達總裁阪本幸雄在本周接受媒體采訪時表示，力晶、茂德以及華邦(Winbond)三家中國臺灣的半導體公司都是可能的股權收購目標。他表示，爾必達希望獲得這些企業20%至30%的股份，而且這些交易都有可能會引發收購，盡管談判尚未開始。
阪本幸雄說：“這些臺灣廠商幾乎不可能依靠自己的力量生存。如果不采取一些措施，我們也很難生存。
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爾必達 存儲芯片
- 據國外媒體報道，全球第三大電腦存儲芯片制造商爾必達CEO阪本幸雄周一表示，由于PC需求放緩導致芯片價格下滑，該公司很可能無法達到此前的盈利預期。
阪本幸雄在周一接受媒體采訪時表示，截至明年3月的財年內，爾必達營業利潤將在1000億日元(約合12億美元)至1200億日元之間，銷售額預計為6000億日元至6500億日元。阪本幸雄此前預計，爾必達本財年實現營業利潤1600億日元，實現銷售額7000億日元。
阪本幸雄表示，由于增速慢于預期，爾必達將推遲提升中國臺灣產能的計劃。過去一個月間，由于擔心
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爾必達 存儲芯片
- 據《日本經濟新聞》周三報道，爾必達計劃在今年12月開始量產40納米以下的DRAM芯片，此舉預計可節省生產成本約30%。爾必達即將量產的DRAM芯片線寬僅略大于30納米，比三星電子的最新制程更小。至目前為止，三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。
報道稱呢個，爾必達已開發出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術，能用現有的設備來達成更精細制程，而無需進行大規模的資本投資。
爾必達位于日本廣島的工廠，將于12月率先量產新DRAM芯片;瑞晶電子
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爾必達 DRAM 30納米
- 爾必達內存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開發出一款新閃存芯片，擁有比現有芯片更為簡單的信元結構，該公司計劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產該芯片。
這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術來開發這個4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結構不同于現有的以傳統浮動柵(floating gate)技術制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項新技術可幫助生產較目前市場
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爾必達 NAND
- 爾必達公司今天宣布，他們已經開發出了一款新品2Gb容量DDR2移動存儲芯片，號稱全球最小的LPDDR2顆粒，FBGA封裝后封裝尺寸僅有10x11.5mm。
該內存顆粒主要面向智能手機和平板機市場，運行在1.2V低壓下，可實現1066Mbps的高數據傳輸率，64bit配置上每秒可傳輸8.5GB數據。由于使用了40nm工藝制造，該顆粒的功耗比上代50nm產品低30%。
爾必達計劃以多種形式出貨該內存顆粒，包括用于堆疊封裝的裸片，以及PoP或FBGA封裝后出貨。
爾必達稱，目前其廣島工廠的
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- 日本內存芯片廠商爾必達公司最近宣稱公司已經開發出了世界尺寸最小的LPDDR2內存芯片，這種芯片的容量密度達2Gb，采用40nm制程技術制作，芯片 的型號為ECB240ABBCN，芯片數據傳輸率達1066Mbps，工作電壓為1.2V，可在-30-85℃條件下工作。LPDDR2是JEDEC組織 認可的低功耗DDR2內存標準，支持這種標準的芯片產品專門面向智能手機，平板電腦等移動設備。
爾必達稱該內存芯片產品將于今年8月份開始量產，產品將以Pop型FBGA封裝和134腳FBGA兩種封裝形式供貨，并可以
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- 日廠爾必達(Elpida)將與飛索半導體(Spansion)擴大合作范圍，雙方除共同研發NAND Flash制程技術與產品外，爾必達將為飛索半導體代工生產NAND Flash。另外，爾必達亦在研擬雙方合作研發NOR Flash，并為其代工的可能性。
據悉，爾必達已取得飛索的NAND IP技術的授權，該項技術乃是以其稱為MirrorBit的獨家技術為基礎。此外，爾必達計劃自2011年起透過旗下的廣島12寸廠，為飛索代工生產高階NAND Flash，而雙方亦將各自進行客戶營銷。
路透(Reut
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- 由于電腦行業復蘇推動全球第三大電腦存儲芯片制造商爾必達扭虧為盈，因此該公司計劃削減債務，并購買資產。
負責管理財務和會計事務的爾必達高管Takehiro Fukuda說：“我們將尋求包括并購和合作在內的各種機會。”他表示，爾必達將進一步拓展業務范圍，包括智能手機和電視芯片。除此之外，還準備年底將權益負債率(debt-to-equity ratio)從1.3降低到1，并最終降到0.3。
在芯片價格大幅下滑導致爾必達2008年出現創紀錄的虧損后，該公司從日本開發銀行獲得
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- 日本爾必達公司最近完成了采用銅互連技術的50nm制程 2Gb密度GDDR5顯存芯片的開發，這款產品據稱是在爾必達設在德國慕尼黑的設計中心開發完成的。爾必達表示公司將于今年7月份開始試銷這種50nm 2Gb GDDR5顯存樣片，而這款產品的量產則預計會定在今年7-9月份的時間段。
據爾必達表示，其設在廣島的芯片廠將負責這款2Gb GDDR5顯存芯片的生產，另外爾必達還透露公司1Gb密度的GDDR3/GDDR5顯存芯片產品已經外包給了臺灣華邦公司代工。
GDDR顯存的主要用途是圖形圖像處理
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- 據臺灣媒體援引爾必達公司CEO Yukio Sakamoto的說法報道，日本內存廠商爾必達計劃聯合臺系內存廠商在大陸興建芯片廠，據稱該芯片廠將于2012年建成投入使用。
據悉該芯片廠將負責生產大陸消費者所需要的芯片產品，該媒體還報道稱爾必達很可能會尋求大陸政府對該項目的資金援助。
據分析，臺灣茂德公司是爾必達該項目最有可能的合作伙伴之一，而力晶半導體的可能性則位居第二。該報道還稱這間合資芯片廠可能會是一間基于200mm晶圓技術的工廠，將專門負責生產非標存儲芯片產品。
早在2008年8
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爾必達 存儲器
- 日前傳聞爾必達可能牽手臺灣茂德來中國建存儲器廠，引起業界興趣。如今不管項目成與否?作些準備還是十分有必要的。
爾必迖在中國建廠的目的
爾必達社長坂本幸雄是個有野心之人，誓言要與三星爭個高低，作全球存儲器第一。之前他的努力欲聯合臺灣地區的存儲器業，結果由于美光的插足等原因，使其目的僅達成一半。如今又想到中國，因此它的目的非常清楚，要擴大產能，缺資金是首位，所以要中國政府來投資;另一方面是希望獲得優惠政策，加上利用中國的市場及人力等來降低生產制造成本。
中方的策略
中國方面要考慮些
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爾必達介紹
Elpida ELPIDA\爾必達是日本最主要的DRAM半導體芯片制造廠商,主要生產DRAM顆粒,并且自己制造原產的ELPIDA內存條.Elpida在歐美市場以提供高品質的DRAM類產品而著稱,但因在大陸地區韓系廠商的流行,且本身定位于高端產品所以目前在中國較少有貨物銷售,但同時也為廣大業者帶來潛在的商機.
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