- 碳化硅(SiC)功率開關器件正成為工業電池領域一種廣受歡迎的選擇,因其能夠實現更快的開關速度和更優異的低損耗工作,從而在不妥協性能的前提下提高功率密度。此外,SiC還支持 IGBT技術無法實現的新型功率因數拓撲結構。本白皮書回顧了多種功率拓撲結構,還提出了功率因數校正(PFC)級與初級功率級的SiC MOSFET選型方案,以及次級同步整流功率級的硅基MOSFET選型策略。最后介紹了安森美(onsemi)650V M3S EliteSiC MOSFET 的優勢及其性能特點。白皮書第一篇介紹了工業充電器簡介、
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- 在工業4.0時代,從便攜式電動工具到重型AGV(自動導引車),電池供電設備正加速滲透制造業、倉儲物流和建筑領域。然而,工業級充電器的設計挑戰重重:既要承受嚴苛環境(如高溫、震動、粉塵),又需在120V~480V寬輸入電壓下保持高效穩定,同時滿足輕量化、無風扇散熱的需求。碳化硅(SiC)功率器件的崛起,正為這一難題提供破局關鍵——其超快開關速度和低損耗特性,不僅提升了功率密度,更解鎖了傳統IGBT難以實現的新型PFC(功率因數校正)拓撲。本文將深入解析工業充電器的PFC級設計策略,助您精準選型。簡介工業電池
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- 小到電動工具、割草機,大到叉車、托盤車及自動導引車等物料搬運設備,電池供電設備正日益成為工業和建筑領域的理想選擇。這類電池充電器系統必須兼具可靠性與耐用性,在惡劣的戶外工業環境中保持性能良好,同時滿足緊湊輕量化設計且無需強制冷卻。此外,這些電池充電器系統可能需要由120 - 277 伏交流電甚至480 伏交流電供電。 碳化硅(SiC)功率開關器件正成為一種廣受歡迎的選擇,因其能夠實現更快的開關速度和更優異的低損耗工作,從而在不妥協性能的前提下提高功率密度。此外,SiC還支持 IGBT技術無法實現
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- 碳化硅(SiC)功率開關器件正成為工業電池領域一種廣受歡迎的選擇,因其能夠實現更快的開關速度和更優異的低損耗工作,從而在不妥協性能的前提下提高功率密度。此外,SiC還支持 IGBT技術無法實現的新型功率因數拓撲結構。本文將介紹隔離式DC-DC功率級選擇。隔離式DC-DC功率級的選擇對于隔離式DC-DC轉換,可以根據應用的功率等級來選擇多種不同的拓撲結構。■? 半橋LLC拓撲采用次級端全橋同步整流的半橋LLC拓撲結構非常適合600W至3.0kW的充電器應用。iGaN功率開關適用于600W至1.0k
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工業充電器介紹
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