石墨柵極增強石墨烯遷移率以匹配半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)

• 追求二維材料中原始的電子質(zhì)量是現(xiàn)代物理學和材料科學進步的核心，曼徹斯特大學的丹尼爾·戈爾巴喬夫和納鑫領(lǐng)導的團隊在這一領(lǐng)域取得了重大突破。研究人員與 Kenji Watanabe 和 Takashi Taniguchi 等同事合作，通過戰(zhàn)略性地將石墨柵極放置在極靠近材料的位置，展示了石墨烯電子性能的變革性改進。這種創(chuàng)新方法涉及將柵極放置在僅一納米之外，可顯著減少電荷變化和潛在波動，最終提高石墨烯的遷移率，甚至超過最高質(zhì)量的半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)。由此產(chǎn)生的材料表現(xiàn)出卓越的性能，能夠觀察以前被無序隱藏的微妙量子現(xiàn)象，
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