隨著半導體和微電子器件的發展，要求原子級制造精度，材料的純度限制變得極端。在半導體開發的2納米節點，線寬大約有40個原子！其中較為有趣的材料之一是鐵電材料鋁氮化鈧（AlScN），這是一種維爾茲結構的固溶體材料，結合了鋁鎬優越的壓電性能與通過釹摻雜引入的鐵電行為。AlScN已在非易失性存儲器、能量采集、微機電系統（MEMS）、射頻濾波器和光學器件方面展現出突破性潛力。所有應用都需要具有原子級精度的共形超純薄膜。近期，由 Kurt J. Lesker Company、賓夕法尼亞州立大學、麻省理工學院（MIT）
近日，加利福尼亞大學圣地亞哥分校(University of California San Diego)的工程師利用超材料(metamaterials)研發出世界上首個無半導體的光控微電子器件，該電子器件僅在低電壓、低功率激光的激發下，導電性能相比傳統增加10倍。該技術有利于制造更快、更高功率的微電子器件，并有望制造更高效的太陽能電池板。
該研究發表于11月4日的國際期刊《Nature Communications》。
無半導體電子器件。圖片來源：UCSan Diego Applied
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