- IBM預計將在明年利用新創公司Diablo Technologies的技術，為伺服器雙列直插式記憶體模組(DIMM)插槽加入 NAND 快閃記憶體(flash)。該公司并計劃在 DIMM 埠中采
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IBM 快閃存儲器
- 市場研究機構IDC最近發布的一份報告指出，快閃記憶體儲存陣列的市場滲透率正在快速成長;該份報告顯示，包括全快閃記憶體陣列(all-flash arrays，AFA)以及混合快閃記憶體陣列(hybrid flash arrays，HFA)在內的全球快閃記憶體陣列市場規模，在2014年可達113億美元。
IDC的報告指出，快閃記憶體陣列市場的成長動力，來自于越來越多廠商提供針對不同應用、支援越來越高復雜度工作任務的多樣化產品;“該市場的成長速度高過于我們預期，” IDC分析師
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快閃存儲器 HFA AFA
- 市調機構集邦科技預期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價看漲。
集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發生火災意外，不僅帶動動態隨機存取存儲器(DRAM)價格飆漲，同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。
集邦科技指出，盡管NANDFlash市場銷售并無好轉跡象，不過，海力士無錫廠復工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。
集邦預期，近期1至2個月
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快閃存儲器 NAND
- 全球晶圓(Global Foundries)除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術，試產出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構的芯片外，同時也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發90納米快閃存儲器技術，進一步強化合作關系。
全球晶圓與ARM在2009年第3季宣布策略合作計畫，就是看好未來廣大的行動運算市場。而就在全球晶圓與ARM攜手后，臺積電也于2010年宣布與ARM，合作開發28納米及20納米制程嵌入式存儲器及標準元件庫在內的實體智財產品。
因
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全球晶圓 90納米 快閃存儲器
快閃存儲器介紹
快閃存儲器
目錄
1概述
2限制
1概述
快閃存儲器（flash EPROM）是電子可擦除可編程只讀存儲器(electrically erasable programmable read-only memory, EEPROM)的一種形式?？扉W存儲器允許在操作中多次擦或寫，并具有非易失性，即單指保存數據而言，它并不需要耗電。快閃存儲器和傳統的EEPROM不同在于它 [
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