散熱封裝技術(shù) 文章 最新資訊
安森美推出新型散熱封裝技術(shù)，提升高功耗應(yīng)用能效
- 安森美(onsemi)近日宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業(yè)應(yīng)用的電源封裝技術(shù)帶來突破。這款新品為電動汽車、太陽能基礎(chǔ)設(shè)施及儲能系統(tǒng)等市場的高功率、高電壓應(yīng)用提供增強(qiáng)的散熱性能、可靠性和設(shè)計靈活性。?安森美采用T2PAK封裝的650V和950V 最新EliteSiC MOSFET系列，將公司業(yè)界領(lǐng)先的碳化硅技術(shù)與極具創(chuàng)新性的頂部冷卻封裝相結(jié)合。首批器件已向主要客戶發(fā)貨，安森美計劃于2025年第四季度及之后推出更多產(chǎn)品。通過在EliteSiC系
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散熱封裝技術(shù)介紹
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