雖然現在嵌入式的應用非常多，但是單片機的應用也還有非常多的應用之處。尤其是一些成本要求非常高的地方。本文將就常見的晶振問題加以說明和介紹。單片機晶振不起振原因分析遇到單片機晶振不起振是常見現象，那么引起晶振不起振的原因有哪些呢？(1) PCB板布線錯誤；(2) 單片機質量有問題；(3) 晶振質量有問題；(4) 負載電容或匹配電容與晶振不匹配或者電容質量有問題；(5) PCB板受潮，導致阻抗失配而不能起振；(6) 晶振電路的走線過長；(7) 晶振兩腳之間有走線；(8) 外圍電路的影響。解決方案，建議按如下方
關鍵字：
晶振 無源器件
電源濾波電容如何選取,掌握其精髓與方法，其實也不難。理論上理想的電容其阻抗隨頻率的增加而減少(1/jwc)，,但由于電容兩端引腳的電感效應,這時電容應該看成是一個LC串連諧振電路，自諧振頻率即器件的FSR參數，這表示頻率大于Fsr(串聯諧振頻率)值時，電容變成了一個電感（頻率超過Fsr電容此時呈感性）,如果電容對地濾波,當頻率超出Fsr后，對干擾的抑制就大打折扣,所以需要一個較小的電容并聯對地,可以想想為什么？電容器，高頻等效模型原因在于小電容，Fsr值大，對高頻信號提供了一個對地通路,所以在電源濾波電路
關鍵字：
濾波電容 無源器件
隨著高性能計算（HPC）系統，特別是 AI 服務器的市場規模不斷擴大，其核心處理器，包括 CPU、GPU、NPU、ASIC、FPGA 等，以及內存、網絡通信等芯片元器件的性能和功耗水平都在提升。隨著性能提升，功率管理水平的提升顯得更加重要，因為 HPC 系統，特別是 AI 服務器的耗電量越來越大，對整個系統，以及主要芯片的功率管理能力提出了更高要求。在 AI 服務器中，CPU 需要供電，GPU 板卡需要供電，內存（DDR4、DDR5、HBM）需要供電，各種接口也需要供電。此時，電源管理系統就顯得非常重要了
關鍵字：
無源器件 芯片電感
MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導體（Semiconductor）場效應晶體管，是一種應用場效應原理工作的半導體器件。和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等優勢，在開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等高頻電源領域得到了越來越普遍的應用。▉ 場效應管分類場效應管分為結型（JFET）和金屬-氧化物-半導體型（MOSFET）兩種類型。JFET的英文全稱是Junction Field-Effect Transistor，也
關鍵字：
MOS管 無源器件 模擬電路
我們知道，電子線路中的晶體振蕩器分為無源晶振和有源晶振兩種類型。無源晶振與有源晶振的英文名稱不同，無源晶振為crystal（晶體），而有源晶振則叫做oscillator（振蕩器）。無源晶振 有源晶振一、無源晶振無源晶振一般有兩個引腳，無極性。它自身無法震蕩起來，一般外部都接有兩個10-22PF的瓷片電容。無源晶振參考電路無源晶振信號質量較差，通常需要精確匹配外圍電路（用于信號匹配的電容、電感、電阻等），更換不同頻率的晶體時周邊配置電路也需要做相應的調整。一般建議采用精度較高的石英晶體，盡可能不要采用精度低
關鍵字：
晶振 無源器件
壓敏電阻、氣體放電管、TVS管（瞬間抑制二極管）三種器件都限壓型的浪涌保護器件，都被用來在電路中用作浪涌保護，那么他們有什么之間有什么差異呢？壓敏電阻壓敏電阻的響應時間為ns級，比氣體放電管快，比TVS管稍慢一些，一般情況下用于電子電路的過電壓保護其響應速度可以滿足要求。壓敏電阻的結電容一般在幾百到幾千PF的數量級范圍，很多情況下不宜直接應用在高頻信號線路的保護中，應用在交流電路的保護中時，因為其結電容較大會增加漏電流，在設計防護電路時需要充分考慮。TVS管TVS和齊納穩壓管都能用作穩壓，但是齊納擊穿電流
關鍵字：
浪涌保護器件 無源器件
三極管有靜態和動態兩種工作狀態。未加信號時三極管的直流工作狀態稱為靜態，此時各極電流稱為靜態電流，給三極管加入交流信號之后的工作電流稱為動態工作電流，這時三極管是交流工作狀態，即動態。一個完整的三極管電路分析有四步：直流電路分析、交流電路分析、元器件和修理識圖。01 直流電路分析方法直流工作電壓加到三極管各個電極上主要通過兩條直流電路：一是三極管集電極與發射極之間的直流電路，二是基極直流電路。通過這一步分析可以搞清楚直流工作電壓是如何加到集電極、基極和發射極上的。如圖所示，是放大器直流電路分析示
關鍵字：
三極管 無源器件 電路分析
1.單向開關二極管，連接AB兩端的管子。像一個開關，閉合導通，斷開分離。二極管中的PN結充當開關的閥門。AB兩端的壓差超過0.7V時，開關打開，管子導通。值得注意的是，二極管導通AB兩端的控制條件藏在A中，而三極管卻是藏在C中。對器件爛熟于于心，最好的方式莫過于搞懂他的曲線，這，是他的一生！下圖清晰地呈現了二極管的閉合條件：超過閾值電壓0.7V，兩極的電流陡然增加，通了！同時，也呈現了損壞條件：給足反向電壓，同樣會使PN結導通（反向導通），對普通二極管而言，這是一種不可逆轉的破壞。正向導通，稱為正偏，此時
關鍵字：
二極管 無源器件
三極管用作開關時的常見電阻配置，如下圖所示。本文嘗試解析為何這些電阻要放置在這個位置，而不是那個位置。在其位，謀其職。電阻R11）產生基級電流Ib【三極管是流控型器件】流控在于，其輸出電流IC和IB具有關系IC=β*IB2）限流【串聯電阻的主要作用就是限流】電阻R31）跟R1組合形成基級分壓回路，用于產生開啟電壓（比5V小，有些管子耐受電壓較小）2）提供一個電壓泄放回路（如果VDD的5V有浪涌的話）電阻R41）產生發射級電流IC2）限流進一步，為什么R4要放在三極管上面，也就是C級，而不是E級？看一張圖，
關鍵字：
三極管 無源器件 電路設計
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，進一步增強其在射頻（RF）領域的廣泛實力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動的人員可與X-FAB技術人員（位于438C展位）就這一創新進行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結構XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器
關鍵字：
X-FAB 無源器件 晶圓代工廠
簡介 集成無源器件在我們的行業中并不是什么新事物——它們由來已久且眾所周知。實際上，ADI公司過去曾為市場生產過這類元件。當芯片組將獨立的分立無源器件或者是集成無源網絡作為其一部分包含在內時，需要對走線寄生效應、器件兼容性和電路板組裝等考慮因素進行仔細的設計管理。雖然集成無源器件繼續在業界占據重要地位，但只有當它們被集成到系統級封裝應用中時才能實現其最重要的價值。 幾年前，ADI開始推出新的集成無源技術計劃(iPassives?)。ADI旨在通過這項計劃提供二極管、電阻、電感和電容等無源元件，從而
關鍵字：
無源器件 SIP
我們先來說說電容，都說大電容低頻特性好,小電容高頻特性好,那么根據容抗的大小與電容C及頻率F成反比來說的話,是不是大電容不僅低頻特性好,高頻特性更好呢,因為頻率越高,容量越大,容抗就越低,高頻就是否越容易通過大電容呢,但從大電容充放電的速度慢來說的話,高頻好像又不容易通過的,這不很矛盾嗎? 首先，高頻低頻是相對的。如果頻率太高，那么，電容的容量變得再大也沒有意義，因為，大家知道，線圈是電感，是阻高頻的，頻率越高，阻礙作用越大。盡管電感量很小，但是，大容量電容一般都有較長的引腳和較大的極板圈在一起，這
關鍵字：
無源器件 低頻電路 高頻電路
從去年2月份至今，已經有至少四家被動件原廠相繼漲價，漲價背后的深層原因是什么?重壓之下采購的日子怎么過?今天我們一起來探討。 2017年以存儲芯片、被動元器件、功率器件為主的缺貨漲價對電子產業鏈上下游供需市場帶來超乎以往的影響。從市場反應的缺貨情況看，存儲芯片DRAM、NAND Flash、NOR Flash三類產品無一例外。被動元器件集中在MLCC、鉭電容、鋁電解電容的漲價或缺貨，功率器件以MOSFET、IGBT、IPM等為主其他的還有MCU、電源IC等。 以被動元件為例。被
關鍵字：
電子展 無源器件
常見的無源器件和有源器件及區別-如果電子元器件工作時，其內部沒有任何形式的電源，則這種器件叫做無源器件。如果電子元器件工作時，其內部有電源存在，則這種器件叫做有源器件
關鍵字：
有源器件 無源器件
光纖無源器件是光纖通信系統中的重要組成部分。按其功能分類，有光纖連接器、光纖耦合器、波分復用器、光開關、光衰減器、光隔離器和光環行器等。光纖通信系統正在向接入網、寬帶網、密集波分復用系統和全光網方向發展，對光纖無源器件的技術提出了新的更高的要求。因此，如何把握光纖無源器件的技術發展方向,以適應市場的需求，已成為業內人士所關注的問題。本文首先介紹光纖無源器件的技術概況，然后就光纖無源器件的技術發展方向，概括地說，就是光纖連接器的小型化、光纖耦合器的寬帶化、波分復用器的密集化、光開關的矩陣化以及光纖無源器件的
關鍵字：
光纖 寬帶 無源器件
無源器件介紹
無源器件
在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。無源元件主要是電阻類、電感類和電容
無源器件類器件，它的共同特點是在電路中無需加電源即可在有信號時工作。
電阻
電流通過導體時，導體內阻阻礙電流的性質稱為電阻。在電路中起阻流作用的元器件稱為電阻器，簡稱電阻。電阻器的主要用途是降壓、分壓或分流，在一些特殊電路中用作負載、反饋、耦合、隔離等。
電阻在電路 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473