- 碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiC MOSFET技術先進性的關鍵參數，但其它標準，例如可靠性，也是制約器件表現的重要因素。對于不同的應用，導通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應當保證設計靈活性，以滿足不同的任務需求，無需大量設計工作和設計布局變化。英飛凌CoolSiC?故障率比IGBT更低談到可靠性，人們往往會認為
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