- 據科技日報報道稱，日本沖繩科學技術大學院大學（OIST）官網最新報告，該校設計了一種極紫外（EUV）光刻技術，超越了半導體制造業的標準界限。基于此設計的光刻設備可采用更小的EUV光源，其功耗還不到傳統EUV光刻機的十分之一，從而降低成本并大幅提高機器的可靠性和使用壽命。在傳統光學系統中，例如照相機、望遠鏡和傳統的紫外線光刻技術，光圈和透鏡等光學元件以軸對稱方式排列在一條直線上。這種方法并不適用于EUV射線，因為它們的波長極短，大多數會被材料吸收。因此，EUV光使用月牙形鏡子引導。但這又會導致光線偏離中心軸
- 關鍵字：
極紫外光刻 半導體制造 標準界限
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