- 本文主要分析了超結結構的功率MOSFET的輸出電容以及非線性特性的表現形態，探討了內部P柱形成耗盡層及橫向電場過程中，耗盡層形態和輸出電容變化的關系，最后討論了新一代超結技術工藝采用更小晶胞單元尺寸，更低輸出電容轉折點電壓，降低開關損耗，同時產生非常大的du/dt和di/dt，對系統EMI產生影響。
- 關鍵字：
202008 功率 MOSFET 超結結構 輸出電容 橫向電場
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