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電容工藝
電容工藝 文章 最新資訊
SK Keyfoundry推出先進(jìn)多層厚金屬間電介質(zhì)電容工藝
- Source: Getty image /Sefa ozel韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠(chǎng)SK Keyfoundry日前公布了其用于電容器的多層厚金屬間電介質(zhì)（IMD）工藝，該工藝具有高擊穿電壓特性，這一特性不僅有助于提升半導(dǎo)體器件的安全性、可靠性與使用壽命，同時(shí)還能增強(qiáng)抗噪聲能力。該工藝可支持堆疊多達(dá)三層金屬間電介質(zhì)，在金屬—絕緣體—金屬結(jié)構(gòu)中，總厚度最高可達(dá)到18微米（μm）。這可提供高達(dá)19,000伏特的高擊穿電壓特性，并有效提升電容性能。預(yù)計(jì)該技術(shù)將用于制造數(shù)字隔離專(zhuān)用電容器，以及用于抑制電子電路中電容耦
- 關(guān)鍵字： SK Keyfoundry 電介質(zhì) 電容工藝
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電容工藝介紹
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