- 6月24日消息,三星電子和Numonyx表示，雙方將聯合開發前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術。
三星電子和Numonyx表示，雙方將合作開發PCM的通用規范，該技術有望用于高級聽筒、移動電話和電腦設備中。英特爾和意法半導體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱，PCM讀寫速度非常快，但耗電量卻低于傳統的NOR和NAND快閃記憶體。
三星電子和Numonyx還表示，雙方的通用規范將于今年完成，預計明年將推出兼容設備。
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三星 NAND NOR PCM 相變化記憶體
相變化記憶體介紹
相變化記憶體名稱有很多種，包括PCM(Phase Change Memory)、PRAM(Phase-change RAM)等，英特爾、IBM 、意法和三星最先開發PCM，而三星宣布已開始量產512MbPRAM。PRAM是一種非易失性存儲技術,用的材料為硫系玻璃，基于硫族材料的電致相變。 全球的相變化記憶體分為3大陣營，包括恒憶(NumONyx)／英特爾(Intel)、三星電子(Samsun [
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