- 追求二維材料中原始的電子質量是現代物理學和材料科學進步的核心，曼徹斯特大學的丹尼爾·戈爾巴喬夫和納鑫領導的團隊在這一領域取得了重大突破。研究人員與 Kenji Watanabe 和 Takashi Taniguchi 等同事合作，通過戰略性地將石墨柵極放置在極靠近材料的位置，展示了石墨烯電子性能的變革性改進。這種創新方法涉及將柵極放置在僅一納米之外，可顯著減少電荷變化和潛在波動，最終提高石墨烯的遷移率，甚至超過最高質量的半導體異質結構。由此產生的材料表現出卓越的性能，能夠觀察以前被無序隱藏的微妙量子現象，
- 關鍵字：
石墨柵極 石墨烯 遷移率 半導體 異質結構
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