- 2月22日，筆者從2017年江西省教育工作會議上獲悉，為表彰南昌大學江風益教授研究團隊做出的杰出貢獻，該省決定對江風益教授研究團隊特別獎勵1000萬元，用于團隊的人才培養、學科建設、科技創新、對外交流合作及條件建設。
據介紹，南昌大學江風益教授研究團隊“十九年磨一劍”，經過3000多次實驗，在國際上率先研制成功高內量子效率硅襯底藍光LED外延材料和高取光效率高可靠性單面出光藍光LED芯片，并率先實現了產業化，打破了日美等國在該領域的技術壟斷。
江風益教授研究團隊的&
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硅襯底LED
- 南昌大學江風益團隊成功研發硅襯底LED技術，使中國成為世界上繼日美之后第三個掌握藍光LED自主知識產權技術的國家，三分天下，中國有其一。
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硅襯底LED
- 一直以來，LED芯片襯底市場，藍寶石和碳化硅兩種方向“二分天下”，但此格局隨著去年國家技術發明一等獎的橫空出世，硅襯底時代隨即到來。
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硅襯底LED
- 不就是一項硅襯底LED技術嗎?但如果你清楚LED發展歷史，或許會由衷發出一聲感嘆。因為，這是一項改寫了半導體照明歷史的顛覆性新技術。
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硅襯底led介紹
硅襯底LED是近年來新開發的一種在硅襯底上制造的GaN基LED，目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業界的普遍關注。 在Si [
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