- 近日，浙大杭州科創中心官微發文稱，浙江大學杭州國際科創中心（簡稱科創中心）先進半導體研究院-乾晶半導體聯合實驗室（簡稱聯合實驗室）首次生長出厚度達100 mm的超厚碳化硅單晶。文章指出，為提升碳化硅晶體厚度，聯合實驗室開展了提拉式物理氣相傳輸（Pulling Physical Vapor Transport, PPVT）法生長超厚碳化硅單晶的研究（圖1a）。 source：先進半導體研究院采用提拉式物理氣相傳輸法，聯合實驗室成功生長出直徑為6英寸（即150mm）的碳化硅單晶，其厚度
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浙大 碳化硅單晶
碳化硅單晶介紹
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