- 田中貴金屬科技株式會社銀膠全球研發高級經理安倍晉太郎解釋了實現高溫無壓模具連接的材料突破。隨著寬禁帶（WBG）半導體加速進入主流電力電子領域，封裝可靠性已成為最關鍵的限制因素之一。對于工作在200°C以上的SiC MOSFET和GaN HEMTs，芯片連接層面臨極端的熱、機械和化學應力——這些條件遠超傳統焊錫或環氧膠所能承受的范圍。田中公司回應了這一創新，推出了混合銀膠粘劑，該膠體設計具有高導熱率、200°C以上的強結合力、無壓力加工及長期耐疲勞性。田中高級研發經理阿部慎太郎表示，這一創新源于同時解決兩個
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封裝可靠性 燒結工藝 粘附技術
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