本文總結了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統抗雷擊的能力；減少開機瞬間系統的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統重起動，導致功率MOSFET驅動電壓降低、其進入線性區而發生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發生損壞的波形和失效形態，同時給出了避免發生這種損壞的幾個措施。
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功率因素校正 旁路二極管 線性區 欠壓保護 202103 MOSFET
Selection of power MOSFET in drone battery power management 李全，劉松，張龍 （萬國半導體元件(深圳)有限公司，上海 靜安 200070） 摘要：本文探討了無人機電池充放電管理系統的功率MOSFET在大電流關斷過程中發生失效損壞的原因，分別從功率MOSFET在大電流線性區工作時內部電場分布、空穴電流分布的電流線分布說明其線性區工作特點和熱累積效應，提出了提高功率MOSFET線性區可靠性的方法。最后通過測試驗證了方法的可行性和有效性。
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201905 線性區 空穴電流 局部熱點 負溫度系數區
本文論述了功率MOSFET數據表中安全工作區每條曲線的含義，詳細說明最大的脈沖漏極電流的定義。分析了基于環境溫度、最大允許結溫和功耗計算的安全工作區不能作為實際應用中MOSFET是否安全的標準原因。特別說明了功率MOSFET完全工作在線性區或較長的時間工作在線性區的應用中，必須采用實測的安全工作區理由。
關鍵字：
功率MOSFET 安全工作區 線性區 熱電效應 201903
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