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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 結(jié)構(gòu)

結(jié)構(gòu) 文章 最新資訊

PIC單片機程序設(shè)計的基本結(jié)構(gòu)框架

  • 為了快速掌握PIC單片機源程序的基本結(jié)構(gòu)，這里給出一個典型的程序結(jié)構(gòu)框架。建立源程序時首先用偽指令TITLE提供程序的標(biāo)題，接著給出整個程序的總說明，并用列表偽指令LIST指定所用單片機型號和文件輸出格式，再利用
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電動車快速充電站簡介和結(jié)構(gòu)原理

  • 電動車充電站和汽車加油站相類似，是一種“加電”的設(shè)備。是一種高效率的充電器，可以快速的給手機電動車 電動汽車等充電。。“電動車快速充電站”可以像汽車加油站一樣，在沿街商店、街道社區(qū)、
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OLED顯示器結(jié)構(gòu)/特點/原理

  • OLED顯示器是一種由有機分子薄片組成的固態(tài)設(shè)備，施加電力之后就能發(fā)光。OLED能讓電子設(shè)備產(chǎn)生更明亮、更清晰的圖像，其耗電量小于傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的LED顯示屏。　　OLED顯示屏的優(yōu)點　　優(yōu)點：　　1.相較于LED或LCD的晶體
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Hilbert分形結(jié)構(gòu)在RFID標(biāo)簽天線中的應(yīng)用

  • 現(xiàn)代社會產(chǎn)品越來越豐富，數(shù)據(jù)管理需求也越來越高，人們需要將多種多樣處于生產(chǎn)、銷售、流通過程中的物品進(jìn)行標(biāo)識、管理和定位。采用傳統(tǒng)的條形碼進(jìn)行物品標(biāo)識將會帶來一系列的不便：無法進(jìn)行較遠(yuǎn)距離的識別，需要人
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從LED裝配結(jié)構(gòu)問題談熱磁子散熱材料理論

  • 熱磁子散熱材料理論　　一、問題的提出　　現(xiàn)有LED裝配結(jié)構(gòu)問題：　　1.基本上是1WLED/珠，無緊固裝置，需用低導(dǎo)熱系數(shù)但粘接力很大的硅膠固定。不能將LED熱迅速傳到鋁基PCB板上。　　2.1W/珠LED需用數(shù)十--百珠以上，
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3LCD投影機工作原理及結(jié)構(gòu)

  • 三片式LCD(3LCD)之技術(shù)架構(gòu)系采用體 型極小的高穿透式高溫多晶硅(High-Temperature Poly Silicon;HTPS)LCD顯示面板， 每一塊HTPS都是由很多個像素組成，如分辨率為1024times;768的HTPS就是由1024times;768個像素組
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硬盤結(jié)構(gòu)原理圖

  • 硬盤結(jié)構(gòu)原理圖上圖是目前常見硬盤電路原理圖，硬盤的有效數(shù)據(jù)都保存在盤片上，磁頭用于讀取或?qū)懭胗脖P數(shù)據(jù)，磁 ...
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FPGA芯片結(jié)構(gòu)分析

  • FPGA芯片結(jié)構(gòu)分析,目前主流的FPGA仍是基于查找表技術(shù)的，已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了先前版本的基本性能，并且整合了常用功能(如RAM、時鐘管理和DSP)的硬核(ASIC型)模塊。如圖1-1所示(注：圖1-1只是一個示意圖，實際上每一個系列的FPGA都有其相應(yīng)的
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常用橋堆及半橋堆電路結(jié)構(gòu)分析

  • 橋堆及半橋堆都是整流二極管的組合器件，這一點可以從它們的結(jié)構(gòu)中看出。在許多電源電路中使用橋堆或半橋堆構(gòu)成整流電路。　　一、外形特征和電路符號　　1、橋堆外形特征解說：　　(1)橋堆的外形有許多種。　　(2)橋
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基于B/S結(jié)構(gòu)的網(wǎng)絡(luò)控制系統(tǒng)開發(fā)

  • 1 引言　　在工業(yè)自動化領(lǐng)域里，控制網(wǎng)絡(luò)正向體系結(jié)構(gòu)的開放性方向發(fā)展，信息溝通的領(lǐng)域正迅速覆蓋從工廠的現(xiàn)場設(shè)備到控制、管理的各個層次，基于 internet/intranet的企業(yè)綜合自動化方案已經(jīng)成為熱門的研究方向。　
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MCU的結(jié)構(gòu)

  • A 中央處理器 中央處理器是由運算部件和控制部件組成。
    a。 運算部件包括：算術(shù)邏輯部件ALU，布爾處理器，累加器ACC，寄存器B，程序狀態(tài)字PSW等等，該部件實現(xiàn)的功能是：數(shù)據(jù)的算術(shù)，邏輯運算，位變量
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高壓LED基本結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵技術(shù)分解

  • 隨著LED應(yīng)用的升級，市場對于LED的需求，也朝更大功率及更高亮度的方向發(fā)展，對于高功率LED的設(shè)計，目前各大廠多以大尺寸單顆低壓DC LED為主，做法有二，一為傳統(tǒng)水平結(jié)構(gòu)，另一則為垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
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磁電式傳感器結(jié)構(gòu)示意圖(轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)矩傳感器結(jié)構(gòu)原理圖)

  • 磁電式傳感器結(jié)構(gòu)示意圖圖1 　轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)矩傳感器結(jié)構(gòu)示意圖
    11 內(nèi)齒輪21 永久磁鋼31 轉(zhuǎn)筒41 感應(yīng)線圈51 外齒輪61 扭力抽圖1 是磁電式傳感器結(jié)構(gòu)示意圖。其中,內(nèi)、外齒輪并不嚙合,齒頂留有工作氣隙。齒頂相對時,氣隙最大
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采用升壓式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的高效率恒流LED驅(qū)動器

  • 二極管D2選用超快恢復(fù)型二極管，反向恢復(fù)時間(tRR)為75 ns或更小，反向峰值額定電壓超過VOUT。為了降低U1導(dǎo)通時產(chǎn)生的D2反向恢復(fù)電流尖峰，本設(shè)計在非連續(xù)導(dǎo)通模式下工作。
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基于Atlas的MFIS結(jié)構(gòu)器件電學(xué)性能模擬

  • 摘要 利用Atlas器件模擬軟件，對MFIS結(jié)構(gòu)器件的C—V特性及記憶窗口進(jìn)行模擬。討論了應(yīng)用電壓、絕緣層厚度及絕緣層材料等因素，對MFIS結(jié)構(gòu)器件記憶能力及穩(wěn)定性的影響，為MFIS結(jié)構(gòu)器件的設(shè)計和性能提高提供了參考
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結(jié)構(gòu)介紹

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