- 本文通過引入脈沖應力與電荷泵技術，解決了傳統直流方法在先進 CMOS 及高K材料可靠性評估中的三大盲區：動態恢復效應、頻率相關壽命、界面陷阱實時監測。對于研究半導體電荷捕獲和退化行為來說，脈沖應力對典型的應力測試是一個有用的補充。NBTI（負偏置溫度不穩定性）和 TDDB（隨時間變化的介電擊穿）試驗包括應力 / 測量循環。所施加的應力電壓通常是一個直流信號，使用它是因為它更容易映射到器件模型中。然而，結合脈沖應力測試提供了額外的數據，允許更好地理解依賴頻率電路的器件性能。 傳統上，直流應力和測量技術被廣泛
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- 對于研究半導體電荷捕獲和退化行為來說，交流或脈沖應力對典型的應力測試是一個有用的補充。NBTI（負偏置溫度不穩定性）和TDDB（隨時間變化的介電擊穿）試驗包括應力/測量循環。所施加的應力電壓通常是一個直流信號，使用它是因為它更容易映射到器件模型中。然而，結合脈沖應力測試提供了額外的數據，允許更好地理解依賴頻率電路的器件性能。傳統上，直流應力和測量技術被廣泛用于表征CMOS晶體管的可靠性，如由溝道熱載流子注入（HCI）和時間依賴性介電擊穿（TDDB）引起的退化。然而，隨著新的可靠性測試的發展，如金屬氧化物半
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