- 現代半導體工藝極其復雜，包含成百上千個互相影響的獨立工藝步驟。在開發這些工藝步驟時，上游和下游的工藝模塊之間常出現不可預期的障礙，造成開發周期延長和成本增加。本文中，我們將討論如何使用 SEMulator3D?中的實驗設計 (DOE) 功能來解決這一問題。在 3D NAND 存儲器件的制造中，有一個關鍵工藝模塊涉及在存儲單元中形成金屬柵極和字線。這個工藝首先需要在基板上沉積數百層二氧化硅和氮化硅交替堆疊層。其次，在堆疊層上以最小圖形間隔來圖形化和刻蝕存儲孔陣列。此時，每層氮化硅（即將成為字線）的外表變得像
- 關鍵字：
泛林 SEMulator3D 虛擬工藝
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