- 萊斯大學的一個材料科學家團隊開發了一種將超薄半導體直接生長到電子元件上的新方法。發表在《ACS Applied Electronic Materials》上的一項研究中描述了該方法，可以幫助簡化二維材料與下一代電子、神經形態計算和其他需要超薄高速半導體的技術的集成。研究人員使用化學氣相沉積 （CVD） 將二硒化鎢（一種二維半導體）直接生長到圖案化金電極上。接下來，他們通過構建一個功能性、概念驗證的晶體管來演示這種方法。與需要將易碎的 2D 薄膜從一個表面轉移到另一個表面的傳統技術不同，Rice 團隊的方法
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超薄半導體 無轉移方法
超薄半導體介紹
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