- 德國的研究人員報告說，在分子束外延 （MBE） 期間使用的表面平滑技術提高了砷化銦 （InAs） 量子阱 （QW） 在砷化鎵 （GaAs） 襯底上的遷移率，特別是在低于 120K 的低溫下 [A. Aleksandrova et al， Appl. Phys. Lett.， v126， p232109， 2025]。來自柏林洪堡大學、Institut Kurz GmbH 和 Paul-Drude-Institut für Festk?rperelektronik 的團隊評論道：“隨著表面平滑的引
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GaAs InAs 量子阱 遷移率
量子阱介紹
量子阱是指由2種不同的半導體材料相間排列形成的、具有明顯量子限制效應的電子或空穴的勢阱。量子肼的最基本特征是，由于量子阱寬度(只有當阱寬尺度足夠小時才能形成量子阱)的限制，導致載流子波函數在一維方向上的局域化。在由2種不同半導體材料薄層交替生長形成的多層結構中，如果勢壘層足夠厚，以致相鄰勢阱之間載流子波函數之間耦合很小，則多層結構將形成許多分離的量子阱，稱為多量子阱。如果勢壘層很薄，相鄰阱之間 [
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