閃存文章最新資訊

傳Spansion將出售兩座日本半導體廠給德州儀器

　　NOR型閃存大廠飛索半導體(SpansionInc.)日本子公司Spansion Japan Ltd.可望在5月底以100億至200億日圓價格出售位于日本福島縣會津若松市(Aizuwakamatsu)廠區(qū)的兩座半導體廠給德州儀器(TexasInstrumentsInc.)。　　報導指出，德儀計劃將12英寸廠生產(chǎn)設備運回美國德州，并將8英寸廠調(diào)整為模擬芯片生產(chǎn)線。德儀執(zhí)行長RichTempleton甫于4月26日指出，目前產(chǎn)出正處于歷史最高水淮，今年產(chǎn)能將因去年購買的8英寸晶圓設備上線而呈現(xiàn)逐季攀高
關鍵字： SpansionInc 閃存

NAND閃存銷售Q1微增三星東芝主宰市場

　　據(jù)市場研究公司iSuppli發(fā)表的按美元統(tǒng)計的第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入數(shù)字顯示，三星和東芝主宰了NAND閃存市場，僅給其它所有的公司留下了較少的市場份額。三星今年第一季度的市場份額是38.5%，緊隨其后的東芝的市場份額是33.8%。其它每一個廠商爭奪的市場份額只有27.7%。　　按美元統(tǒng)計，今年第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入是43.6億美元，比 2009年第四季度的43.3億美元增長了0.6%。因此，你可以計算出供應商的實際銷售收入。iSuppli稱，這是一個好消息，因為歷史
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今年 Q1 NAND閃存市調(diào)報告出爐三星東芝占據(jù)大半江山

　　據(jù)iSuppli市調(diào)公司2010年第一季度的NAND閃存市場調(diào)查報告顯示，三星與東芝公司兩家占據(jù)了NAND閃存市場的絕大部分份額，其中三星的營收份額最高，達到了38.5%，東芝則位居第二為33.8%，兩者合在一起占據(jù)了72.3%的NAND閃存市場營收份額。按美元計算，今年第一季度NAND 閃存的市場總值達到43.6億美元，比去年第四季度NAND閃存市場總值43.3億美元提升了0.6%。由于季節(jié)性因素的影響，每年的第一季度閃存市場一般都會比上一年最后一季度有所萎縮，而今年則反其道而行，iSuppli
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東芝計劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存

　　東芝公司今年計劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗生產(chǎn)線，生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。　　目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術，主要應用于手機及數(shù)字相機等電子消費產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術，因此，東芝也將進行相應的技術升級。目前，東芝已向荷蘭半導體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購設備，預計在今年夏天試驗投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布，東芝在股市中漲幅達3.5%，遠遠超過同類電氣機器指數(shù)0.8%的漲幅
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閃存密集型產(chǎn)品需求上升 NAND價格穩(wěn)定帶來正面環(huán)境

　　據(jù)iSuppli公司，由于來自高密度應用的需求上升以及供應商的產(chǎn)量穩(wěn)步增長，NAND閃存價格波動了兩年之后，該市場已恢復穩(wěn)定。　　第一季度NAND平均價格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于這些相對溫和的變化，2009年第一季度大漲34%。　　NAND價格持續(xù)透明，導致2009年第四季度營業(yè)收入創(chuàng)出最高記錄，使得多數(shù)NAND供應商對于2010年持有非常樂觀的看法。在智能手機和microSD卡等高密度應用的推動下，市場對于NAND閃存的需求不斷增長，也增強了廠商的信心。這種旺盛需
關鍵字：閃存 NAND

富士通開發(fā)NOR型閃存新技術

　　富士通微電子公司日前宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出一種NOR型閃存新技術，可提高閃存讀取速度，并同時降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機存儲)中的電路元素，從而實現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達，訪問時間僅10ns，同時工作電流降低三分之二達到9µA。通過在嵌入式設備中應用這項技術，便攜音視頻設備將有望改進性能，同時延長電池續(xù)航時間。　　富士通表示，將以這項N
關鍵字：富士通 NOR 閃存

蘋果iPhone手機擴容將導致今年閃存市場出現(xiàn)供不應求局面

　　據(jù)iSuppli公司預測，蘋果今年的iPhone生產(chǎn)計劃可能導致新一輪閃存供貨危機的發(fā)生。據(jù)iSuppli公司預測，今年蘋果對其iPhone產(chǎn)品進行升級之后，iPhone手機產(chǎn)品的閃存容量將平均達到35GB之多，比現(xiàn)有的最大容量32GB還多。再加上iPhone本身的銷量還將進一步實現(xiàn)幅度為32%的增長，達到3300萬部左右，這樣全球閃存市場今年將因此而再次呈現(xiàn)閃存供應緊張的局面。　　過去，蘋果每年都會將其設備所裝備的閃存容量以每年增加一倍的速度提升，這樣今年其iPhone手機的閃存容量有望達到64
關鍵字：蘋果 iPhone 閃存

技術領先領先別無所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽

　　在最近舉辦的一次會議上，Intel公司屬下NAND閃存集團的新任老總Tom Rampone透露了有關Intel閃存業(yè)務的一個驚人規(guī)劃，他們計劃在閃存技術和SSD產(chǎn)品市場上取得領先地位，但他們并不準備在散片NAND閃存市場上扮演領軍人的角色。看起來他們并不愿意在風水輪流轉的NAND閃存散片市場和三星，現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭高下，但于此同時,他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務排名第一的寶座上拉下來的意圖。　　Intel不準備在NAND閃存散片市場稱雄的決定令人稍感驚奇，過去他們一旦進入某個市場，那
關鍵字： Intel NAND 閃存

基于閃存的星載大容量存儲器的研究和實現(xiàn)

摘要：就閃存應用于星載大容量存儲器時的寫入速度慢、存在無效塊等關鍵問題探討了可行性解決方案，并在方案討論的基礎上論述了一個基于閃存的大容量存儲器的演示樣機的實現(xiàn)。無效塊空間飛行器的數(shù)據(jù)記錄設備是
關鍵字：閃存大容量存儲器星載

NAND閃存芯片價格本月逐步趨于平穩(wěn)

　　根據(jù)市場調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計，12月后半個月的MLC NAND閃存芯片價格和前半月相比持平，高密度芯片價格則將下降1-5%。　　其中，16Gb芯片期貨價格下降2-7%，32Gb芯片價格持平或下降3%，兩種芯片后半個月的平均銷售價格預計為4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均價格依舊保持在4.02美元。　　盡管受到季節(jié)性銷售規(guī)律的影響，NAND閃存12月份的銷售價格依舊保持穩(wěn)定。考慮到一些芯片制造商將重點轉移到了工藝升級上，產(chǎn)能上或受影響，很多下游廠商已經(jīng)開始存貨為即
關鍵字：閃存 NAND

Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程NAND芯片將投入試制

　　在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對其進行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數(shù)字，但外界認為他們很可能會于明年初公布有關的細節(jié)信息。這樣，鎂光及其NAND技術的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術，甩開對手三星和東芝，重新回到領先全球NAND制作技術的寶座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng)立有一家專門負責NAND業(yè)務的IM閃存技術公司。　　除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
關鍵字：鎂光 NAND 閃存

東芝第三季度NAND閃存營收環(huán)比增長近50%

　　據(jù)國外媒體報道，市場研究公司iSuppli最新研究數(shù)據(jù)顯示，第三季度全球NAND閃存市場業(yè)績強勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營收環(huán)比增長近50%。　　全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強于市場，其NAND閃存營收較第二季度的9.24億美元增長了47.5%，達14億美元。東芝在全球NAND閃存市場上位居第二，僅次于三星電子。　　iSuppli資深分析師Michael Yang說：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
關鍵字：東芝 NAND 閃存

閃存S29AL016D在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中的應用

閃存S29AL016D在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中的應用,0 引言
隨著數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)智能化程度的越來越高，經(jīng)常需要在無人干預的情況下，自動加載某些數(shù)據(jù)或參數(shù)到系統(tǒng)工作單元，以保證系統(tǒng)的正常工作。這些數(shù)據(jù)或參數(shù)通常都以數(shù)據(jù)文件形式保存在大容量、低功耗、可快
關鍵字：理系應用處理數(shù)據(jù) S29AL016D 閃存

Numonyx執(zhí)行長：預計未來季度中將重新盈利

　　全球第三大閃存制造商--Numonyx執(zhí)行長Brian Harrison周一表示,預計在接下來的季度中,公司將會開始再度盈利,因該行業(yè)正擺脫長期下滑趨勢,而主要競爭對手經(jīng)營困難也令公司擴大份額。　　Harrison在接受路透電話采訪時稱,公司在三季度接近收支平衡,"希望接下來季度中能盈利,但我們并沒有做任何預測。公司處于有利位置,我們的成本構成大幅降低。" 　　Numonyx是一家瑞士的私營企業(yè),由英特爾和意法半導體合資設立。　　Numonyx和韓國三星和日本東芝等其他大
關鍵字： Numonyx 閃存

IEEE：NAND閃存技術將在十年之內(nèi)遭遇技術極限

　　《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結果選出了兩個最有希望的候選者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。　　PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結晶態(tài)和非結晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內(nèi)能保存多個比特，因此存儲密度和成本
關鍵字： NAND 閃存相變存儲

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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]