- 據北京亦莊官微消息，近日，由北京顯芯科技有限公司（以下簡稱“顯芯科技”）參與研制的全球首款28nm內嵌RRAM（阻變存儲器）畫質調節芯片在京量產，并成功應用于國內頭部客戶的Mini LED高端系列電視中，標志著我國顯示類芯片達到新的半導體工藝高度。據相關負責人介紹，當前全球半導體頂尖工藝已經來到2nm時代，但對于半導體顯示來說，綜合考慮成本問題，28nm是目前國內工藝的天花板。畫質調節芯片要求集成各種補償算法，開發難度高，制造要求先進邏輯制程，是顯示芯片品類國產化率最低的產品之一。為推動中國芯片國產化進展
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顯芯科技 28nm RRAM 阻變存儲器
- 阻變存儲器RAM(RRAM)是一種可以用于PC和移動設備的內部存儲器，相比現在的閃存，它的速度快上許多，讀寫時還非常節能。今天，加州一家技術公司Crossbar宣布研發出全新電阻式RAM技術，可以在一顆比郵票還小的單芯片中存下1TB的數據，這意味著未來電子產品的存儲密度將極大地提高，同時RRAM的寫入性能比目前最好的NAND芯片還快上20倍，讀寫時的功率僅為1/20。
取決于不同的設備，RRAM可以將設備電池壽命延長數周、數月甚至數年，使用壽命也10倍于NAND，可以說是一種完美的高速存儲器。C
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阻變存儲器 RRAM
阻變存儲器介紹
阻變式存儲器(resistive random access memory,RRAM)是以材料的電阻在外加電場作用下可在高阻態和低阻態之間實現可逆轉換為基礎的一類前瞻性下一代非揮發存儲器.它具有在32nm節點及以下取代現有主流Flash存儲器的潛力,成為目前新型存儲器的一個重要研究方向。 圖1是RRAM器件典型的“三明治”(MIM)結構示意圖,其上下電極之間是能夠發生電阻轉變的阻變層材料。在 [
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