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集成驅動器 文章 最新資訊

通過集成驅動器和高級保護功能簡化GaN電源設計

  • 高效率和高功率密度是為當今產品設計電源時的關鍵特性。為了實現這些目標，開發人員正在轉向氮化鎵 （GaN），這是一種可實現高開關頻率的寬帶隙半導體技術。與競爭對手的功率半導體技術相比，GaN 最大限度地減少了所需無源元件的尺寸，同時降低了柵極驅動和反向恢復損耗。此外，半導體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業標準封裝中，從而縮小印刷電路板 （PCB） 的占地面積要求，同時簡化供應鏈。GaN 應用在 650 V AC-DC 轉換領域，變壓器外形無鉛 （TOLL） 封裝是電源設計的有效選擇。采用此封
  • 關鍵字： 集成驅動器  高級保護  GaN  電源設計  

英飛凌推出全新CoolGaN? Drive產品系列，包括帶有集成驅動器的集成單開關和半橋

  • 消費電子和工業應用領域正呈現出便攜化、電氣化、輕量化等多樣化的發展趨勢。而這些趨勢都需要緊湊高效的設計，同時還需采用非常規?PCB設計，此類設計面臨嚴格的空間限制，從而限制了外部元件的使用。為應對這些挑戰，英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN??Drive產品系列，進一步豐富了其氮化鎵（GaN）產品組合。該產品系列包括CoolGaN? Drive 650 V G5?單開關（集成了一個晶體管和柵極驅動器，采用PQFN 5x6和PQFN 6x8?封裝）和CoolGa
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolGaN Drive  集成驅動器  單開關  半橋  

用集成驅動器優化GaN性能

  • 將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。
  • 關鍵字： 氮化鎵  TI  集成驅動器  

大、中功率MOSFET與IGBT驅動電路方案探討

  • 1引言隨著電力電子技術和電力半導體器件的飛速發展，近幾年來MOSFET和IGBT在變頻調速裝置、開關電源、...
  • 關鍵字： 驅動電路  集成驅動器  隔離  

基于AVR單片機的無刷直流電機控制系統設計

  • 根據永磁無刷直流電機控制系統的設計參數、成本及靈活性等各方面的要求，設計了以AVR單片機及LM621集成驅動器為核心的硬件平臺。本控制系統保護功能較完善，硬件結構簡單，成本較低，在實際工程中有一定的應用價值。
  • 關鍵字： 單片機  AVR  集成驅動器  LM621  201111  BLDC  

超小型 LED 集成驅動器

  • ZD3315 集成塊的面積只有 2mmx3ram ，自帶散熱面，司借助印板銅箔散熱，可驅動四路 LED ，適合在高密度安裝的場合使用。該集成電路不需要外接電感線圈，只需外接一個電阻和一個電容就足夠了，流過 LED 的電流和 LED 的點亮可以由外部控制。附圖是其基本應用電路。 驅動電壓為 4 ． 5 ～ 16V(Vin 的電壓 ) ，每一路可以驅動 1 ～ 4 個正向導通電壓為 VF=3 ． 5V 的白色 LED 。如果希望每一路能驅動 5 個以上的白色 LED 的話，除了要增加電源電壓
  • 關鍵字： LED 集成驅動器  

瑞薩發布符合第二階段產品標準的第二代 “集成驅動器MOSFET（DrMOS）”

  • 瑞薩科技發布符合第二階段產品標準的第二代 “集成驅動器MOSFET（DrMOS）” 實現CPU穩壓器應用的業界最高效能 --與瑞薩科技當前的產品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅動器IC和兩個高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務器等產品的CPU穩壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
  • 關鍵字： DrMOS  MOSFET  單片機  電源技術  集成驅動器  模擬技術  嵌入式系統  瑞薩  
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集成驅動器介紹

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