- 非晶態半導體閾值開關器件是指往復開關多次不會破壞的器件。這種器件的I-V曲線如圖1所示，當電壓超過閾值Vei時，器件進行開關(Switch)。但在“關態”(OFF state)與“開態”(ON state)之間無穩定的操作點，電流降至維持電流In以下，器件即轉到原始狀態。
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一般觀察的結果表明，非晶半導體閾值開關器件受破壞的原因，多半是由于電極與半導體合金化，引起了大量的電子遷移，導致非晶態半導體分相或部分分相。所以多數器件失效的原因
- 關鍵字：
非晶態半導體 電子開關
非晶態半導體介紹
具有半導體性質的非晶態材料。非晶態半導體是半導體的一個重要部分。50年代B.T.科洛米耶茨等人開始了對硫系玻璃的研究，當時很少有人注意，直到1968年S.R.奧弗申斯基關于用硫系薄膜制作開關器件的專利發表以后，才引起人們對非晶態半導體的興趣。1975年W.E.斯皮爾等人在硅烷輝光放電分解制備的非晶硅中實現了摻雜效應,使控制電導和制造PN結成為可能,從而為非晶硅材料的應用開辟了廣闊的前景。在理論 [
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