- 納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著簡化GaN驅動電路設計，提升系統可靠性并降低系統成本。應用背景近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優勢，能夠大幅提升電源系統的功率密度，明顯優化能效表現，降低整體系統成本，在人工智能(AI)數據中心電源、微型逆變器、車載充電機(OBC)等高壓大功率領域得到日益廣泛的應用。然而，GaN器件在實際應用中仍面臨諸多
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納芯微 高壓半橋驅動 E-mode GaN
高壓半橋驅動介紹
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