- 國務院發展研究中心國際技術經濟所研究員吳康迪
遵循“摩爾定律”的指引，全球半導體巨頭正邁向32納米工藝；不過，其研發策略卻各不相同。
全球32納米芯片微細技術開發主要有3個陣營，參加單位數目最多的是IBM陣營，其次是英特爾公司，第三是日本公司，此外還有中國臺灣地區的臺積電、歐洲比利時微電子中心IMEC等。
英特爾技術業界領先
2007年9月，英特爾公司領先業界在“開發者論壇”首次展出了32納米工藝的測試
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32納米 英特爾 NAND
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遵循“摩爾定律”的指引，全球半導體巨頭正邁向32納米工藝；不過，其研發策略卻各不相同。
全球32納米芯片微細技術開發主要有3個陣營，參加單位數目最多的是IBM陣營，其次是英特爾公司，第三是日本公司，此外還有中國臺灣地區的臺積電、歐洲比利時微電子中心IMEC等。
英特爾技術業界領先
2007年9月，英特爾公司領先業界在“開發者論壇”首次展出了32納米工藝的測試用硅圓片。該硅圓片用于測試器件性能和試驗新工藝是否合理，并非實際的邏輯電路。一般
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英特爾 32納米
- 2008年10月9日 IBM、特許半導體制造有限公司、三星電子有限公司以及ARM公司宣布將在high-k metal-gate (HKMG)技術的基礎上開發一個完整的32納米和28納米的片上系統(SoC)設計平臺。
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ARM SoC 32納米 28納米
- 10月8日消息，中芯國際公司近日透露，該公司計劃于2011年內推出32納米制程,有可能采取與IBM的技術轉移與合作方式，但未披露詳細情況。中芯國際還重申其2008年第三季度營收目標維持不變，預期將增長5-8%。
中芯國際繼武漢、深圳12寸廠分別進入營運、建地的好消息后,目前又傳出與IBM45nm制程技術轉移十分順利，未來在45nm領域有信心緊追領先業者，同時基于客戶需求將進一步向半世代的40nm制程技術延伸。
目前中芯在上海8廠內進行的45nm技術合作研發正按預期順利進行，除了擁有世界最先
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中芯國際 32納米
- 本周一，由IBM主導的聯盟稱，今年消費者將使用32納米芯片，這種芯片與當前的芯片相比更節能，效率更高。
這種芯片采用高K-金屬柵極技術，使晶體管何種壓縮到32納米。目前，市場普遍使用的是45納米晶體管。通過減小體積，芯片廠商可以在一片硅片中開發更多的產品，使芯片工作效率更高。IBM采用高K-金屬柵極"技術開發的芯片主要有其East Fishkill工廠生產，其合作者包括飛思卡爾、英飛凌、三星電子、東芝以及IBM查打半導體公司等。英特爾不是其聯盟成員，但英特爾采用相同的材料開發自己的芯片
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IBM 耗能低 32納米
- 由IBM主導的半導體聯盟“通用平臺(CommonPlatform)”表示計劃集中投資32納米平臺。通用平臺由IBM、三星電子、特許半導體(新加坡)等企業組成，這些企業以共享半導體設計和制造環境為目的組成這一聯盟，并生產了90納米手機芯片，而且正在開發64納米、45納米工程。這次由9個企業組成的聯盟正式表明了集中投資32納米工程的意向，半導體平臺的時代交替顯得更加指日可待。
IBM雖然沒有透露詳細計劃，但表示對32納米平臺的開發投入將是目前投資規模的兩倍。IBM稱，整體
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半導體，32納米
- 由IBM主導的半導體聯盟“通用平臺(CommonPlatform)”表示計劃集中投資32納米平臺。通用平臺由IBM、三星電子、特許半導體(新加坡)等企業組成，這些企業以共享半導體設計和制造環境為目的組成這一聯盟，并生產了90納米手機芯片，而且正在開發64納米、45納米工程。這次由9個企業組成的聯盟正式表明了集中投資32納米工程的意向，半導體平臺的時代交替顯得更加指日可待。
IBM雖然沒有透露詳細計劃，但表示對32納米平臺的開發投入將是目前投資規模的兩倍。IBM稱，整體的S
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半導體 IBM 32納米
- IBM與ST近日宣布，將聯合開發針對半導體開發、制造領域的下一代處理技術。兩公司計劃今后共同進行32納米、22納米CMOS處理技術的開發設計和300毫米硅晶圓制造技術的研究。 這次兩公司達成一致的內容包括：共同開發Bulk CMOS核心技術、高附加值派生的SoC技術。為了便于利用上述技術快速進行SoC器件的設計，兩公司還計劃在IP開發、平臺方面進行合作。 作為合作的一環，兩公司分別在各自的生產線上設置了技術開發小組。雙方人員分別在對方的機構共同研發嵌入式存儲器、模擬及RF領域的多種派生技
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IBM ST 32納米 消費電子
- IBM和其聯合開發聯盟伙伴英飛凌和飛思卡爾半導體以及Common Platform技術伙伴特許半導體和三星電子，簽署了一系列半導體工藝開發和制造協議，以期在未來繼續保持技術領先地位。 上述公司簽署的聯合開發協議包括32納米CMOS（互補性氧化金屬半導體）工藝技術及支持該技術的工藝設計套件（PDK）。在之前90納米、65納米和45納米工藝聯合開發和制造協議大獲成功的基礎上，聯盟伙伴將能夠生產出高性能、低功耗的32納米芯片。 聯盟伙伴計劃將各自的專業技術匯聚起來，在設計、開發和制造技術方面進行協作，
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32納米 半導體產品 消費電子 消費電子
- IBM、索尼和東芝日前宣布，由這3家公司組成的聯合技術開發聯盟已經進入到一個新的5年發展階段。 組成這一廣泛的半導體研究和開發聯盟的3家公司將合作進行與32納米及更高級技術相關的基礎研究。該協議將促成這3家公司更加迅速地研究和確定相關的新技術并實現這些技術的商業化，滿足消費者和其它應用的需求。 在過去的5年中，索尼公司、索尼計算機娛樂公司、東芝公司和IBM協作完成了“Cell”微處理器的設計以及支持該處理器的90納米和65納米基礎絕緣硅（silicon-on-insul
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32納米 IBM 東芝 索尼
32納米介紹
32納米制程技術是英特爾已經推出并即將大規模投入量產的新的處理器制造技術，它是在已經大獲成功的45納米制程技術的基礎之上，采用第二代高k+金屬柵極晶體管以及第四代應變硅技術，為下一代英特爾Nehalem微體系架構的32納米版本-Westmere處理器的高性能表現奠定基礎。
目錄
1制程技術
2技術原理
·第一點
·第二點
·第三點
3戰略藍圖
4 [
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