- 近日科學家為身在國際空間站或者執行火星任務的宇航員研發了一種虛擬現實3D帽舌。佩戴該帽舌的宇航員可以看到覆蓋在現實世界之上的虛擬圖像，后者能夠輔助宇航員獨自進行外科手術治療疾病。
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3D 太空手術 創新技術
- 加拿大皇后大學人類媒體實驗室研究員研發成功的“TeleHuman”3D全息投影設備，能將科幻片中經常出現的3D虛擬投影變成現實。這款設備開發本意就是用3D全息影像來代替現有的平面視頻會議.
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3D 全息投影技術 遠程醫療
- 隨著移動互聯網的持續發展以及物聯網的高速增長，移動寬帶技術不斷向前演進。移動寬帶技術的發展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年，全球移動用戶連 接數預計將達到70億，覆蓋全球96%以上的人口，其中3G和4G移動用戶連接數之和也將達到24億，占據全球總量的三分之一以上。這些數據表明MBB業 務正在快速增長。
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移動通信 天線技術 創新 3D-MIMO 波束智能賦型
- 單片機執行指令過程詳解 單片機執行程序的過程，實際上就是執行我們所編制程序的過程。即逐條指令的過程。計算機每執行一條指令都可分為三個階段進行。即取指令-----分析指令-----執行指令。 取指令的任務是：根據程序計數器PC中的值從程序存儲器讀出現行指令，送到指令寄存器。 分析指令階段的任務是：將指令寄存器中的指令操作碼取出后進行譯碼，分析其指令性質。如指令要求操作數，則尋找操作數地址。 計算機執行程序的過程實際上就是逐條指令地重復上述操作過程，直至遇到停機指令可循環等待指令。 一般計算機進
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MCU 內存
- 正在進行經營重建的日本東芝公司有意出售旗下半導體業務子公司「東芝內存」，目前考慮快則下個月實施第3次競標作業。
東芝打算出售「東芝內存」的作業，19日是第2次競標作業截止日，預計篩選出2個陣營，然后快則下個月實施第3次競標作業。 一般認為，此舉目的在于抬高東芝內存的出售價碼。
東芝于3月底實施的第1次競標作業，通過競標的有臺灣的鴻海、美國投資基金KKR與日本官民基金日本產業革新機構合作、南韓SK海力士、美國博通以及西部數據。
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東芝 內存
- 《ZDnet》報導，周二 (16 日) 調研機構顧能 (Gartner) 發布了 2016 年全球半導體市況報告，英特爾 (INTC-US) 2016 年營收為 540.9 億美元，市占率達 15.7%，依然是全球最大的半導體龍頭，而三星電子 (Samsung Electronics) 及高通 (QCOM-US) 則緊追英特爾之后。
據顧能 2016 半導體市況報告顯示，三星電子 2016 年營收為 401 億美元，市占率為 11.7% 居全球第二，而高通營收則為 154 億美元，市占率為 4.
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半導體 內存
- 由于內存價格短期內仍看不到大幅下滑的跡象，在未來幾季，三星電子很可能將首度超越英特爾，成為全球半導體產業營收最高的公司。
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英特爾 內存
- DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領域延伸的一項重要技術。
3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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摩爾定律 3D NAND
- 隨著挑戰 3D Xpoint 的非易失性存儲技術逐漸出現，傳統的 NAND Flash 依然有很長的路要走，直到 2025 年，這個技術都是安然無憂的。 因此，NAND Flash 暫時不會被 3D Xpoint 技術取代。
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內存 DRAM
- 東芝(Toshiba)令人垂涎的內存業務第二輪競價即將在幾周內展開，但其程序的不透明，暴露了日本政治人物、官僚體系、企業領導人以及金融圈之間的利益分歧;許多觀察家將這種持續加深的分歧，歸咎于正折磨著日本半導體產業的不滿情緒。而且，該競標程序已經成為一個高度政治化的焦點，這也是為什么日本媒體對該事件如此關注。
不過在指出東芝內存業務競標程序的漏洞之前，我們得看清楚在這場賭局上有哪些玩家：在第一輪競標時，東芝將出價者范圍縮小為僅四家廠商──WD (Western Digital)、Broadcom、
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東芝 內存
- 內存是半導體的主力產品之一，目前主要由動態隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產品。 不過，由于DRAM必須持續上電才能保存數據，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數相對有限的先天限制，因此內存業者一直試圖發展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發特性
根據研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續進入小量生產階段。 不過
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內存 NAND
- 近三年來，我一直預測2017年會是閃存(flash)/固態硬盤(SSD)豐收的一年。然而，由于3D NAND轉型步調緩慢，加上智能手機到服務器等市場的需求旺盛，如今的flash顆粒供應極其吃緊。不僅價格持續上漲20%或甚至更多，而像個人計算機(PC)等領域的內存供應不足更對其銷售數字帶來沖擊。
這讓IT人員得多花一點時間才能接受這一點。畢竟對于計算機儲存而言，SSD會是更快速的解決方案。但我們討論的是更巨大的因素，性能更高千倍以上，因此，你可能會想知道為什么這個市場花了這么久的時間才終于起飛。我
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內存 SSD
- 內存是半導體的主力產品之一，目前主要由動態隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產品。 不過，由于DRAM必須持續上電才能保存數據，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數相對有限的先天限制，因此內存業者一直試圖發展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發特性。
根據研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續進入小量生產階段。 不
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內存 DRAM
- 經過二十多年的發展，臺灣內存總產量已經來到了世界第三的水平。2008年的危機極大地威脅到了這一產業的發展勢頭，因而政府開始向產業注入資金進行救市。但這一計劃成效如何?
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內存 力晶
- 據韓媒報導，傳三星電子 (Samsung Electronics) 已在磁阻式隨機存取內存 (MRAM) 取得重大進展，市場估計在 5 月 24 日的一場晶圓廠商論壇上，三星電子將會發布該公司所研發的 MRAM 內存。
由于標準型內存 DRAM、NAND Flash 等微縮制程已逼近極限，目前全球半導體巨擘皆正大舉發展次世代內存“磁電阻式隨機存取內存 (MRAM)”，與含 3D XPoint 技術的“相變化內存 (PRAM)”及“電阻式
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臺積電 英特爾 內存
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