上周，全球3D打印行業領先企業3D Systems公司向其旗下消費型的在線3D打印市場Cubify.com的注冊用戶發送了一封電子郵件，宣布關閉Cubify.com，并停止零售3D打印產品，比如珠寶和手機外殼等。當時這封電子郵件讓很多人難以置信，在即將進入2016年之際，這位3D打印巨頭為什么要突然退出消費零售市場?會不會是該公司的郵件系統被黑了?遺憾的是，2015年12月28日，該公司正式確認了這個消息。
據了解，3D Systems宣布將撤出“消費級”市場，轉向看似更
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3D Systems 3D打印
文章主要介紹能驅動壓電管的高壓放大器，感性趣的朋友可以看看?！ ≡趻呙杷淼里@微鏡中驅動操作裝置的壓電管狀定位器需要使用高壓低電流驅動電路。圖1所示電路具有6 kHz的-3dB帶寬，可驅動高阻低電容的壓電負載。該電路成本低，可代替商用驅動器。晶體管Q3和Q4構成了一個電流反射鏡，R3設定Q4的集電極電流。該集電極電流可由IC3=IC4=[VCC-(-VCC)-VBE(Q4)]/R3公式確定。運算放大器IC1為Q5提供基極驅動，Q5又驅動Q6。當IC1輸入端無信號時，Q6和Q3的集電極電流平衡，
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晶體管
我前面說過：談論飽和不能不提負載電阻。現在再作詳細一點的解釋。
借用楊真人提供的那幅某晶體管的輸出特性曲線。由于原來的Vce僅畫到2.0V為止，為了說明方便，我向右延伸到了4.0V。
如果電源電壓為V，負載電阻為R，那么Vce與Ic受以下關系式的約束：
Ic = (V-Vce)/R
在晶體管的輸出特性曲線圖上，上述關系式是一條斜線，斜率是 -1/R，X軸上的截距是電源電壓V，Y軸上的截距是V/R(也就是前面NE5532第2帖說的“Ic(max)是指在假定e、c極短路
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晶體管
美國賓州大學(Penn State)的材料科學家采用一種將二氧化釩結合于電子元件的新技術，發現了可提升電晶體效能的新方法。
“目前的電晶體技術難以取代，因為半導體己經進展得如此有聲有色，”賓州大學材料科學與工程系助理教授Roman Engel-Herbert解釋。“但還有一些材料，如二氧化釩可以添加在現有的元件中，使其效能表現更好。”
研究人員們已經知二氧化釩有一種不尋常的特性稱為“金屬-絕緣體轉變”。在金屬狀態下，電
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二氧化釩 晶體管
蘋果iPhone 6s新機加入壓力感測3D Touch功能，預料將帶動市場風潮。目前已有華為、中興等品牌新機支援壓力感測功能，科技網站傳出，三星新一代旗艦機Galaxy S7，也搭載壓力感測，可望帶動TPK宸鴻(3673)等相關概念股表現。
三星供應商新思日前已發表新的 “ClearForce”壓力觸控解決方案，可以區別按壓力道大小，做出不同回應，并與全球 OEM和 LCM大廠進行合作中，外傳三星已與新思洽商采用此一技術。
法人表示，壓力感測器概念股包括敦泰、F-臻
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蘋果 3D Touch
ARM新近推出的版本中出現Bug，iPhone 6s Plus玩3D游戲閃屏，不過后續通過軟件升級可以解決。
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iPhone 6s 3D
Q3是一個PNP型開關，此開關控制另一PNP型開關Q4，Q5是另另一NPN型開關，與本文無關。
實驗是想研究Q3偏置電阻對Q4導通情況的影響。電路的設計需求是Q3導通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3導通而VCE較大時，Q4也隨之導通。這種情況在Q3負載電容R29固定時，往往是由R27取特定范圍值導致的。在PSpice中做個DC掃描，R27從100k變化到10M，結果發現Q3確實不用完全關斷Q4就導通了，而且R29的電流不會降低太多，也就是R29的分壓沒降低多少Q4即可導通，此時Q3對R29分壓
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晶體管 開關電路
一場觸控界的革新，因為蘋果的參與而讓市場沸騰起來。新iPhone9月10日(北京時間)發布后，搭載的3D Touch技術讓消費者們對手機操控有了新鮮感。這讓壓力觸控廠商們很是興奮，經歷了長久蟄伏期之后，他們看到了潛在的市場爆點。不過興奮的同時，產業鏈廠商們也沒有太過樂觀，因為安卓市場才是引爆市場的關鍵，而這恐怕還需等待一段時間。
為部分App帶來革命性體驗
壓感觸控技術是指在現有手機平面操作的基礎上增加第三種維度——重力感應，根據力度的不同，調用的菜單也有所區別。而
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壓力觸控 3D Touch
1、PNP管做旁路晶體管時，雖然壓降較小，但其輸出阻抗大，需要特定的ESR的電容才能穩定，同時允許的功率耗散較小，應小心在重載條件下使用。
2、因為晶體管的基極電流較大，導致當晶體管做耗散管時，芯片的接地電流常常較大(幾個mA甚至數十個mA)，在電池供電的應用中，這可能會大大縮短電池的壽命!
3、因為線性穩壓器是通過消耗功率來獲得輸出電壓的穩定，功率的消耗將主要轉化為熱量，因此，當線性穩壓器芯片太燙的時候，一定要考慮是否在其上消耗了過多的能量。
4、A/D轉換器的類型和特點：
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PNP 晶體管
鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯網和穿戴式裝置發展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發相關的蝕刻機臺和磊晶技術。
應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸指出，隨著先進制程發展，該公司產品開發有兩大重點方向，一是電晶體與導線技術，另一個是圖形制作與檢測技術。
應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發展至16/14奈
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FinFET 3D NAND
微機電(MEMS)/奈米技術/半導體晶圓接合暨微影技術設備廠商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統目前市場需求殷切，在過去12個月以來，EVG晶圓接合系列產品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來自于晶圓代工廠以及總部設置于亞洲的半導體封測廠(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長系受惠于先進封裝應用挹注，制造端正加速生產CMOS影像感測器及結合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術的垂直
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CMOS 3D-IC
Lightwave報道，斯坦福大學的研究者最近在美國光學學會OSA的Optica雜志撰文稱找到一種利用基于MZ干涉儀的網狀結構來構建多種光網絡用光器件的辦法。
斯坦福大學電子系David A. B. Miller博士在他的文章“基于不完美器件的完美光學技術”中指出，最近，學者們開始發現干涉儀可以用來構建幾乎任何可以想到的光學器件。對干涉儀網的研究可以開啟未來利用光學器件代替現在的電子器件來進行線性工作的大門。
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根據Miller博士的描述，
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晶體管 集成光路核心單元
美國閃存峰會上的演講提出假設性觀點。
3D XPoint內存晶圓近照。
本屆閃存記憶體峰會上的一次主題演講對英特爾/美光聯合打造的3D XPoint內存技術作出了相關猜測——包括這項技術的具體定義以及英特爾會在未來如何加以運用。我們就其中的部分內容向知識淵博的從業專家進行了咨詢，并以此為基礎提出自己的觀點——同樣圍繞這兩點，該技術究竟算是什么、未來又將如何發展。
本月13號星期四在301-C會話環節中作出的這
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閃存 3D XPoint
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