3d x-dram 文章 最新資訊
三星推新DRAM芯片 手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存或?qū)⑸?GB
- 近日,三星宣布已經(jīng)制造出了業(yè)界首款8GbLPDDR4移動(dòng)芯片,該芯片不僅將比目前市面上的同類產(chǎn)品運(yùn)行速度更快,而且體積更小能耗也更低。 該8GbLPDDR4芯片采用了20nm制程工藝,每塊芯片的內(nèi)存容量為1GB,這意味著2014年推出的智能手機(jī)如果能搭載四塊這樣的芯片話,那么將具有容量為4GB的RAM內(nèi)存。 三星電子內(nèi)存銷售及市場(chǎng)副總裁Young-HyunJun表示:“新一代LPDDR4DRAM將會(huì)在2014拉動(dòng)全球移動(dòng)DRAM市場(chǎng)的增長(zhǎng),并且很快將占據(jù)DRAM市場(chǎng)的大
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基于3D視覺技術(shù)的機(jī)器人系統(tǒng)
- 隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,具有類似于人類視力的機(jī)器人系統(tǒng)不再是科幻小說中的夢(mèng)想。今后,3D視覺系統(tǒng)將成為機(jī)器 ...
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Hynix無錫DRAM廠傳明年1月完全復(fù)工
- 韓國記憶體廠SK Hynix無錫廠9月發(fā)生大火,令全球DRAM供應(yīng)吃緊、價(jià)格水漲船高,但分析師調(diào)查顯示,Hynix無錫廠可能明(2014)年1月便能完全復(fù)工,這對(duì)三個(gè)月來嘗了不少漲價(jià)甜頭的美光(Micron)恐怕不太有利。 據(jù)報(bào)導(dǎo),MKM Partners分析師Ada Menaker 11日發(fā)表研究報(bào)告指出,在與Hynix高層談話后,她認(rèn)為無錫廠到了明年1月中旬就能完全恢復(fù)產(chǎn)量與不錯(cuò)的良率,估計(jì)每個(gè)月的矽晶圓供應(yīng)量將達(dá)12-13萬片、良率則會(huì)達(dá)到80%。 Menaker表示,無錫廠全面恢復(fù)
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科學(xué)家研發(fā)出弱光下的3D高清掃描儀技術(shù)
- 在過去的幾年里,3D世界已經(jīng)有了多次大飛躍。看看現(xiàn)在,我們隨隨便便就可以去影院觀看3D電影,甚至在家里也可以用電視觀看,還有家用3D打印機(jī)的出現(xiàn),可以幫助你實(shí)現(xiàn)各種古怪的創(chuàng)意想法。今天,我們要給大家?guī)硪粋€(gè)新的3D技術(shù),叫做3D掃描儀,目前還是麻省理工學(xué)院研究者們的試驗(yàn)項(xiàng)目,它可以巧妙利用單光子在光線極弱的情況下創(chuàng)造出物體的清晰圖像,而且是3D圖像。 這項(xiàng)新技術(shù)將不會(huì)依賴于任何形式的硬件,麻省理工學(xué)院的研發(fā)者團(tuán)隊(duì)一直努力實(shí)現(xiàn)使用一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的光子探測(cè)儀,它可以往目標(biāo)物體上發(fā)出低強(qiáng)度的可見激光脈沖
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littleBits完成1110萬美元系列融資旨在促進(jìn)下一代硬件創(chuàng)新平臺(tái)研發(fā)
- 總部位于紐約的開放式硬件初創(chuàng)公司、生產(chǎn)一系列電子器件(Bits?)并可以磁性吸附拼接成不同產(chǎn)品的模塊生產(chǎn)商littlebits?日前宣布已完成了價(jià)值1110萬美元的融資。這一輪融資是由 True Ventures 和 Foundry Group兩家公司為主導(dǎo),另外還包括 Two Sigma Ventures和VegasTechFund兩家投資公司。
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移動(dòng)設(shè)備作圖新武器:3D手勢(shì)輸入
- 美國專利商標(biāo)局日前公布了蘋果最新申請(qǐng)的“3D手勢(shì)輸入”專利。據(jù)國外媒體報(bào)道稱,該技術(shù)允許用戶通過特殊手勢(shì) ...
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2013中國國際半導(dǎo)體博覽會(huì)暨高峰論壇即將盛大開幕
- 2013年11月8日,中國國際半導(dǎo)體博覽會(huì)暨高峰論壇組委會(huì)在上海召開新聞發(fā)布會(huì),向行業(yè)各界人士、媒體介紹將于2013年11月13日至15日在上海新國際博覽中心W5館舉辦的2013中國國際半導(dǎo)體博覽會(huì)暨高峰論壇。
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半導(dǎo)體業(yè)10月報(bào) 高端需求不佳 bb值低于1
- 美國、臺(tái)灣、中國大陸電子行業(yè)指數(shù)9月跑贏大盤:9月費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)上漲7.24%,道瓊斯指數(shù)上漲2.16%;臺(tái)灣電子零組件指數(shù)上漲2.4%,臺(tái)灣加權(quán)指數(shù)上漲1.89%;大陸CSRC電子行業(yè)指數(shù)上漲4.81%,滬深300指數(shù)上漲4.11%。 8月全球半導(dǎo)體銷售額再創(chuàng)新高:8月全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額258.7億美元,是自2013年以來的月度最高值,同比上漲6.4%,環(huán)比上漲1.3%。按地區(qū)來看,4大地區(qū)再次同時(shí)實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng),其中日本環(huán)比增幅最大,預(yù)示著下半年半導(dǎo)體銷售額將會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)。9月北美半導(dǎo)體設(shè)
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DRAM火災(zāi)后遺癥:海力士三星死杠搶芯片市場(chǎng)
- DRAM短缺,合約價(jià)格持續(xù)上揚(yáng),市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce指出,主流模組4GB10月價(jià)格較9月成長(zhǎng)6.25%,預(yù)計(jì)在下旬合約價(jià)公布后,現(xiàn)貨與合約顆粒價(jià)格將更為貼近。而SK海力士火災(zāi)過后,韓商三星半導(dǎo)體藉擴(kuò)張產(chǎn)能欲奪回PC-DRAM市場(chǎng)主導(dǎo)地位,2家韓商已打起PC-DRAM市占率的爭(zhēng)奪保衛(wèi)戰(zhàn)。 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,受到SK海力士火災(zāi)影響,供給面出現(xiàn)短缺使得合約價(jià)格持續(xù)上揚(yáng),主流模組4GB最高價(jià)格已經(jīng)站上34美元,與9月相較
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Q2全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)運(yùn)利潤(rùn)率27%創(chuàng)三年新高
- 根據(jù)市調(diào)公司IHS表示,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)近來歷經(jīng)快速成長(zhǎng),寫下近三年來的利潤(rùn)率新高記錄。全球DRAM的營(yíng)運(yùn)利潤(rùn)率從今年第一季的11%大幅成長(zhǎng),最近在第二季已經(jīng)達(dá)到27%了──這也是自2010年以來的最高水準(zhǔn)。事實(shí)上,IHS強(qiáng)調(diào)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率已經(jīng)持續(xù)六個(gè)月的穩(wěn)步成長(zhǎng)了。 IHS指出,多年來PC一直是DRAM的主要應(yīng)用,隨著近來PC市場(chǎng)下滑,2012年時(shí)首度出現(xiàn)PC在DRAM應(yīng)用的比重不到50%的窘境。在后PC時(shí)代,許多裝置──特別是行動(dòng)裝置──每單位用量更少,使得整個(gè)DRAM市場(chǎng)
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全球DRAM營(yíng)利率11% 創(chuàng)3年新高
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS17日發(fā)布報(bào)告指出,拜高平均售價(jià)(ASP)之賜,全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營(yíng)業(yè)利益創(chuàng)近三年新高,自第一季的11%倍增至27%,僅次于2010年第三季的33%。 在連6季衰退之后,且面對(duì)PC市場(chǎng)持續(xù)萎靡的狀況下,DRAM獲利表現(xiàn)連續(xù)2季攀升,期間DRAM產(chǎn)品平均單價(jià)第一季漲4%,而第二季更是跳增12%。IHS看好DRAM這股逆轉(zhuǎn)氣勢(shì)將可一直持續(xù)至2013年底。 當(dāng)季表現(xiàn)最亮眼當(dāng)屬南韓的SK海力士,該公司營(yíng)利率達(dá)33%,而居次的爾必達(dá)(Elpida)也有32%,兩者都優(yōu)于DR
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