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3d芯片文章最新資訊

Applied Materials發(fā)布TSV新設備引領3D芯片技術

　　Applied Materials正在引領通孔硅技術(TSV)實現(xiàn)大規(guī)模量產。TSV技術通過芯片的多層連接，實現(xiàn)性能提升、功能改善、小型封裝、降低功耗，被視為未來移動芯片領域的重要技術。Applied Materials發(fā)布Applied Producer Avila系統(tǒng)，成為首家提供全方位TSV方案的供應商，加速了3D-IC的上市時間。
關鍵字：應用材料 3D芯片移動芯片

未來推動芯片尺寸微縮的五種技術

　　IC尺寸微縮仍面臨挑戰(zhàn)。　　為了使芯片微縮，總是利用光刻技術來推動。然而近期Sematech在一次演講中列舉了可維持摩爾定律的其他一些技術。　　1. 零低k界面：在目前Intel的45nm設計中，采用硅襯底和高k金屬柵。在硅與高k材料之間有低k材料。對于零低k界面，免去了低k材料，提高驅動電流并減少漏電。這是16nm節(jié)點的一種選擇。　　2. 單金屬柵堆疊：與傳統(tǒng)晶體管相比，高k金屬柵利用了單金屬柵堆疊結構，這改善了晶體管性能，且降低了器件功耗。　　3. III-V族材料上柵堆疊：Int
關鍵字：摩爾定律 45納米 3D芯片

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3d芯片介紹

　　世界上第一款3D芯片工藝已經準備獲取牌照，該工藝來自于無晶圓半導體設計公司BeSang公司。BeSang公司制作的用于演示的芯片在其控制邏輯上使用了1.28億個垂直晶體管用作內存位單元。該芯片的設計在國家Nanofab中心(韓國大田)和斯坦福Nanofab(美國加州)進行。BeSang公司稱，該工藝由25個專利所保護，將允許Flash、DRAM以及SRAM放置在邏輯電路、微處理器以及片上系統(tǒng)上 [ 查看詳細 ]

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