3d-nand 文章 最新資訊
搞定晶圓貼合/堆疊材料 3D IC量產(chǎn)制程就位
- 三維晶片(3DIC)商用量產(chǎn)設(shè)備與材料逐一到位。3DIC晶圓貼合與堆疊制程極為復(fù)雜且成本高昂,導(dǎo)致晶圓廠與封測業(yè)者遲遲難以導(dǎo)入量產(chǎn)。不過,近期半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者已陸續(xù)發(fā)布新一代3DIC制程設(shè)備與材料解決方案,有助突破3DIC生產(chǎn)瓶頸,并減低晶圓薄化、貼合和堆疊的損壞率,讓成本盡快達到市場甜蜜點。 工研院材化所高寬頻先進構(gòu)裝材料研究室研究員鄭志龍強調(diào),3DIC材料占整體制程成本三成以上,足見其對終端晶片價格的影響性。 工研院材化所高寬頻先進構(gòu)裝材料研究室研究員鄭志龍表示,高昂成本向來是3DIC
- 關(guān)鍵字: 晶圓 3D
三星宣布量產(chǎn)全球首個3D垂直閃存V-NAND
- 三星電子在存儲技術(shù)上的領(lǐng)先的確無可匹敵,今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個采用3D垂直設(shè)計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭,3D堆疊已經(jīng)成了潮流,處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。 三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB),內(nèi)部采用三星獨有的垂直單元結(jié)構(gòu),通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來連接3D單元陣列。 三星稱,這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且寫入性能也可達到1xnm N
- 關(guān)鍵字: 三星 V-NAND
半導(dǎo)體廠擴產(chǎn) 力成進補
- 不讓韓國三星專美于前,日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元),于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠,導(dǎo)入最新16至17納米制程,使總產(chǎn)能提升20%,明年4月量產(chǎn),為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。 這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后,東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定,因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。 研究機構(gòu)統(tǒng)計,去年全球NAND Flash出貨量,三星居全球
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 NAND
半導(dǎo)體廠談3D IC應(yīng)用
- 半導(dǎo)體技術(shù)走向系統(tǒng)化,集成不同芯片堆疊而成的3D IC將成為主流發(fā)展趨勢。2.5D IC從設(shè)計工具、制造、封裝測試等所有流程的解決方案大致已準備就緒,今年最重要的課題即在于如何提升其量產(chǎn)能力,以期2014年能讓2.5D IC正式進入量產(chǎn)。 SiP Global Summit 2013(系統(tǒng)級封測國際高峰論壇)將于9月5日至6日與臺灣最大半導(dǎo)體專業(yè)展覽SEMICON Taiwan 2013(國際半導(dǎo)體展)同期登場,特別邀請臺積電、日月光、矽品、欣興電子、Amkor、Qualcomm、STATS C
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 3D
SEMI:3D IC最快明年可望正式量產(chǎn)
- 國際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI)指出,半導(dǎo)體技術(shù)走向系統(tǒng)化,整合不同晶片堆疊而成的3D IC(立體堆疊晶片)將成為主流發(fā)展趨勢,2.5D IC從設(shè)計工具、制造、封裝測試等所有流程的解決方案大致已準備就緒,以期2014年能讓2.5D IC正式進入量產(chǎn)。 SEMI臺灣暨東南亞區(qū)總裁曹世綸表示,2.5D及3D IC制程解決方案已經(jīng)逐漸成熟,產(chǎn)業(yè)界目前面臨最大的挑戰(zhàn)是量產(chǎn)能力如何提升,業(yè)界預(yù)估明后
- 關(guān)鍵字: 3D IC
Stratasys主席兼CIO獲制造工程師學(xué)會頒發(fā)的行業(yè)杰出成就獎
- 全球 3D 打印領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)、快速原型與快速制造的引領(lǐng)者—Stratasys公司(納斯達克代碼:SSYS)非常榮幸地宣布其董事會主席兼研發(fā)負責(zé)人Scott Crump于6月12日被制造工程師學(xué)會(Society of Manufacturing Engineers SME)授予快速成型技術(shù)及增材制造(RTAM)行業(yè)杰出成就獎(the Rapid Technologies and Additive Manufacturing Industry Achievement Award)。
- 關(guān)鍵字: Stratasys 3D
芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好
- 據(jù)國外媒體報道,芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個關(guān)鍵信息是,盡管對芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長的預(yù)期落空,但明年的前景要光明得多。 SEMI(半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會)預(yù)計,2013年芯片制造設(shè)備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預(yù)測,2014年芯片制造設(shè)備營收將猛增21%。 當(dāng)然,SEMI以往曾對芯片制造設(shè)備營收作出過高的預(yù)期。1年前,SEMI曾預(yù)計2013年芯片制造設(shè)備營收將增長約1
- 關(guān)鍵字: 芯片制造 NAND
2013年:芯片制造業(yè)陷入低谷 明年會變好
- 根據(jù)國外媒體的報道,2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退,預(yù)計芯片制造設(shè)備的全年營收下降2%,而此前SEMI曾經(jīng)預(yù)計2013年芯片制造設(shè)備營收會增長10%。 這次衰退預(yù)計同樣出自SEMI,這表明此前他們對2013年的樂觀預(yù)計已經(jīng)落空。實際上從2012年下半年開始,以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設(shè)備的訂單就已經(jīng)開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定,主要是因為消費類電子產(chǎn)品對芯片需求量大,三家企業(yè)處于難以撼動的統(tǒng)治地位。 不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
- 關(guān)鍵字: 芯片制造 NAND
內(nèi)存芯片商揚眉吐氣 靠中國企業(yè)賺錢了
- 7月5日消息,由于中國廉價平板、智能手機需求增長,由于中國移動設(shè)備商的出現(xiàn),東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運,開始收獲金錢了。 在高端產(chǎn)品領(lǐng)域,盡管市場增速沒過去那么快了,但是,這些設(shè)備渴望裝上更大的內(nèi)存,也會刺激內(nèi)存銷售的增長。 兩種趨勢之下,加上2011年以來內(nèi)存商縮減投資,DRAM(動態(tài)隨機訪問存儲器)和NAND內(nèi)存芯片價格已經(jīng)開始回升,在廠商面前,內(nèi)存制造商抬起頭來,它們有了更高的議價能力。 I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出:“
- 關(guān)鍵字: 內(nèi)存芯片 NAND
世界上最小3D傳感器亮相 可應(yīng)用于手機設(shè)備中
- 6月25日消息,Kinect體感控制器現(xiàn)在是風(fēng)靡一時,可是大家卻很少知道PrimeSense對Kinect的研發(fā)做出的巨大貢獻。如今,PrimeSense公司開發(fā)出新的產(chǎn)品,它是否會成為Kinect的后繼者呢? 當(dāng)PrimeSense的創(chuàng)始人AviadMaizels在2006年推出一款基于微軟平臺的3D傳感芯片時,他根本沒意識到他的成就是以色列創(chuàng)新史上的一個轉(zhuǎn)折點。4年后,PrimeSense與其合作伙伴微軟在Redmond(微軟基地)開發(fā)出了Kinect,這款3D體感攝像頭震驚了全世界。然而,
- 關(guān)鍵字: 3D 傳感器 手機設(shè)備
3d-nand介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d-nand的理解,并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d-nand的理解,并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司




