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40奈米 文章 最新資訊

聯華電子宣布推出40奈米SST嵌入式快閃記憶體製程

  •   聯華電子今( 21日)宣布,該公司推出40奈米結合Silicon Storage Technology(SST)嵌入式SuperFlash?非揮發性記憶體的製程平臺。新推出的40nm奈米SST嵌入式快閃記憶,較量產的55奈米單元尺寸減少20%以上,并使整體記憶體面積縮小了20-30%。東芝電子元件&存儲產品公司已開始評估其微處理器(MCU)晶片于聯華電子40奈米SST技術平臺的適用性。  東芝電子元件&存儲產品公司混合信號晶片部門副總松井俊也表示:「我們期
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臺晶圓廠備戰GF并購特許 臺積電支出將增30%

  •   瑞銀臺灣證券半導體首席分析師程正樺(Jonah Cheng)指出,一旦市場需求不如預期,半導體產業第4季將面臨股價修正,不建議繼續追高;而且中國臺灣地區晶圓雙雄目前迎戰Global Foundrie并購特許半導體(Chartered Semiconductor),臺積電將公布資本支出提高30%。   程正樺對于臺灣第4季半導體產業展望提出較保守看法,由于產業在第3季開出亮眼財報,沉浸樂觀氣氛,卻忽略了零組短缺問題,外界對于景氣將V型復蘇的看法恐怕太過樂觀,不建議在此刻買進半導體類股,并調降臺積電和聯
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