- 日本礙子稱，開發出了可將LED光源的發光效率提高1倍的GaN(氮化鎵)晶圓。該晶圓在生長GaN單結晶體時采用自主開發的液相生長法，在整個晶圓表面實現低缺陷密度的同時獲得了無色透明特性。
日本礙子在其他研究機構的協助下，在開發出來的GaN晶圓上制造了LED元件，并進行了發光性能試驗，結果表明，該LED元件的內部量子效率達到約90%(注入電流200mA時)。據日本礙子介紹，市售LED元件的內部量子效率為30～40%(注入電流200mA時)，照此計算，利用新開發的晶圓制造的LED元件，其內部量子效率提
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LED GaN晶圓
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